[发明专利]电压电流混合编程的AMOLED像素驱动电路及方法

权利要求书

1.一种电压电流混合编程的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述AMOLED像素驱动电路至少包括：

驱动晶体管、第一开关晶体管、第二开关晶体管、第三开关晶体管、电容以及有机发光二极管；其中，

所述驱动晶体管的第一电极连接第一电源信号，栅极连接所述电容的第一端、所述第一开关晶体管的第一电极和所述第二开关晶体管的第二电极，第二电极连接所述第一开关晶体管的第二电极和所述第三开关晶体管的第一电极，所述电容的第二端连接数据信号；

所述第一开关晶体管的栅极连接第一控制信号；

所述第二开关晶体管的栅极连接所述第一控制信号，第一电极连接固定电流信号；

所述第三开关晶体管的栅极连接第二控制信号，第二电极连接所述有机发光二极管的第一端，所述有机发光二极管的第二端连接第二电源信号。

2.根据权利要求1所述的电压电流混合编程的AMOLED像素驱动电路，其特征在于：所述第一电极为源极，所述第二电极为漏极，所述驱动晶体管、所述第一开关晶体管、第二开关晶体管、第三开关晶体管为P管，所述有机发光二极管的第一端为阳极、第二端为阴极。

3.根据权利要求1所述的电压电流混合编程的AMOLED像素驱动电路，其特征在于：所述第一电极为漏极，所述第二电极为源极，所述驱动晶体管、所述第一开关晶体管、第二开关晶体管、第三开关晶体管为N管，所述有机发光二极管的第一端为阴极、第二端为阳极。

4.根据权利要求1所述的电压电流混合编程的AMOLED像素驱动电路，其特征在于：所述第一开关晶体管、第二开关晶体管、第三开关晶体管为多晶硅薄膜晶体管、非晶硅薄膜晶体管、氧化锌基薄膜晶体管或有机薄膜晶体管中的一种。

5.一种如权利要求1～4任意一项所述的电压电流混合编程的AMOLED像素驱动电路的驱动方法，其特征在于，所述驱动方法包括：

编程阶段：逐行对像素单元进行编程，编程时所述第一开关晶体管和所述第二开关晶体管开启，所述第三开关晶体管关闭，电流从所述驱动晶体管、所述第一开关晶体管和所述第二开关晶体管流至所述固定电流信号，编程结束后，所述第一开关晶体管和所述第二开关晶体管关闭，开始下一行的编程；

发光阶段：所述第一开关晶体管和所述第二开关晶体管关闭，所述第三开关晶体管开启，电流从所述驱动晶体管、所述第三开关晶体管流至所述有机发光二极管，所述驱动晶体管驱动所述有机发光二极管发光。

6.根据权利要求5所述的电压电流混合编程的AMOLED像素驱动方法，其特征在于：在编程阶段，所述驱动晶体管的栅极电压满足如下关系式：

VA=VDD+Vth-2IfixLμCOXW,]]>

其中，V_A为所述驱动晶体管的栅极电压，V_DD为电源电压，V_th为所述驱动晶体管的阈值电压，I_fix为所述固定电流信号的值，μ为载流子迁移率，C_OX为单位面积的栅氧化层电容，L为所述驱动晶体管的沟道长度，W为所述驱动晶体管的沟道宽度。