[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201510574112.2 | 申请日: | 2015-09-10 |
公开(公告)号: | CN105470279B | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
发明(设计)人: | 李在晟;李晙硕 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
本发明涉及一种有机发光显示装置,其在覆盖层上布置辅助电极,因此使开口率提高。所述有机发光显示装置可包括设置在驱动晶体管和电源电极上的第一覆盖层,连接电极,设置在第一覆盖层上并通过第二接触孔连接到电源电极;第一电极,设置在第一覆盖层上并通过第一接触孔连接到驱动晶体管;设置在第一覆盖层上的第二覆盖层,和设置在第二覆盖层上并连接到连接电极的辅助电极。第一覆盖层可包括第一接触孔和第二接触孔。第二覆盖层可以覆盖所述第一和第二接触孔,并且可以不覆盖第一电极的一部分。
技术领域
本发明涉及有机发光显示装置及其制造方法,更具体地,涉及一种包括形成在覆盖层上的辅助电极的有机发光显示装置及其制造方法。
背景技术
随着时代发展到信息化社会,具有诸如纤薄、体轻和低功耗等良好特性的平板显示器(FPD)变得越来越重要。FPD装置的实例包括液晶显示(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)、有机发光显示装置等。近来,电泳显示器(EPD)装置正广泛地用作一种FPD类型。
特别地,有机发光显示装置是自发光装置,并且与其他显示装置相比,具有低功耗、快速响应时间、高发光效率、高亮度以及宽视角。因此,有机发光显示装置作为下一代平板显示器倍受关注。
图1是示出现有技术的有机发光显示装置的剖面图。
如图1所示,现有技术的有机发光显示装置包括驱动晶体管,电源连接电极17,第一平坦化层21,第一下辅助电极31和第二下辅助电极32。驱动晶体管形成在基板上10。电源连接电极17与驱动晶体管的源/漏电极15形成在同一层上。第一平坦化层21形成在源/漏电极15和电源连接电极17上。第一下辅助电极31形成在第一平坦化层21上并连接到源/漏电极15、第二下辅助电极32形成在第一平坦化层21上并连接到电源连接电极17。
此外,现有技术的有机发光显示装置包括第二平坦化层22,阳极41和上辅助电极47。第二平坦化层22形成在第一下辅助电极31和第二下辅助电极32上。阳极41形成在第二平坦化层22上并连接到第一下辅助电极31。上辅助电极47与阳极41形成在同一层上。
此外,现有技术的有机发光显示装置包括堤部25,隔壁50,有机发光层42和阴极43。堤部25将阳极41与辅助电极47划分开。隔壁50形成在上辅助电极47上。有机发光层42形成在阳极41上。阴极43形成在基板10上方。阴极43电连接到上辅助电极47。
如上所述,在现有技术的有机发光显示装置中,为了降低上辅助电极47的电阻,提供第一平坦化层21和第二平坦化层22,并且下辅助电极31和32设置在第一平坦化层21和第二平坦化层22之间。
此外,上辅助电极47与阳极41形成在同一层。在此情况下,上,阳极41的宽度减小,并且因此,像素面积减小。出于这个原因,有机发光显示装置的开口率降低。另外,有机发光显示装置的图像质量和寿命降低。
发明内容
本发明涉及一种有机发光显示装置及其制造方法,所述有机发光显示装置基本上避免了由于现有技术的局限和缺点导致的一个或多个问题。
本发明的一个目的是提供一种有机发光显示装置,其中在覆盖层上形成辅助电极,因此提高孔径比、图像质量和寿命。
此外,本发明的另一个目的是提供一种制造有机发光显示装置的方法,其降低了在制造过程中使用的掩模数,从而简化了制造工艺并降低了制造成本。
除了本发明的上述目的,本发明的其它特征和优点将在下面描述,并且本领域技术人员从下面的说明将清楚地理解。
本发明的其他优点和特征将部分在随后的说明中呈现,而部分可以由本领域技术人员从说明书中明显看出,或者在实践时知晓。本发明的目的和其他优点将通过说明书和权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和获得。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的