[发明专利]一种AMOLED器件及其制备方法、由其制得的显示装置有效

专利信息
申请号: 201510575169.4 申请日: 2015-09-10
公开(公告)号: CN105161634B 公开(公告)日: 2017-11-24
发明(设计)人: 李宝军;靳福江 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 代理人: 赵天月
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 amoled 器件 及其 制备 方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种AMOLED器件,其特征在于,包括自下而上的背板、蓝色空穴传输层、蓝色发光层、电子传输层、金属阴极;其中,在蓝色空穴传输层、蓝色发光层之间增设一激发层,

其中,所述蓝色发光层的制备材料为光致变色材料。

2.根据权利要求1所述的AMOLED器件,其特征在于,所述激发层的制备材料选自唑类衍生物紫外发光材料、苯胺类紫外发光材料、联苯衍生物紫外发光材料或聚硅烷类紫外发光材料中的一种或多种。

3.根据权利要求2所述的AMOLED器件,其特征在于,所述唑类衍生物紫外发光材料选自苯基联苯基恶二唑类化合物、三氮唑类化合物、1,3,5-三苯并咪唑基苯或二恶唑衍生物;

所述苯胺类紫外发光材料选自N,N′-双(3-甲基苯基)-N,N′-二苯基联苯胺、F2PA。

4.根据权利要求1所述的AMOLED器件,其特征在于,所述光致变色材料为胶体材料;

所述胶体材料为二芳基乙烯衍生物、席夫碱、亚砜、脎、缩氨基脲、丁二酸酐。

5.根据权利要求4所述的AMOLED器件,其特征在于,所述二芳基乙烯衍生物选自如下结构的化合物:

式中,X为S或O;

Ar1、Ar2代表芳杂环基;

n=1或2。

6.根据权利要求5所述的AMOLED器件,其特征在于,所述二芳基乙烯衍生物选自如下结构的化合物:

7.根据权利要求1所述的AMOLED器件,其特征在于,所述光致变色材料为非胶体材料;

所述非胶体材料为掺杂卤离子空穴的方钠石、掺杂Fe或Mo的LiNbO3、掺杂Bi的铝土、负载Ag纳米粒子的TiO2、多钼酸、多酸和小生物分子构成的杂化物、含有有机配体的多酸。

8.一种权利要求1-7任一所述AMOLED器件的制备方法,先制备背板,再依次蒸镀蓝色空穴传输层、激发层、蓝色发光层、电子传输层,最后制备金属阴极。

9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述激发层和蓝色发光层的蒸镀工艺条件为:真空度为5×10-5Pa,层厚度为90~110μm,温度为300~400℃,磁力≤150gauss。

10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-7任一所述AMOLED器件。

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