[发明专利]一种改善管状基底内表面沉积薄膜均匀性的方法

权利要求书

1.一种改善管状基底内表面沉积薄膜均匀性的方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）将管状基底放置于反应室内，将侧壁上均匀分布有若干通孔的进气管置于所述管状基底内；

（2）沿所述管状基底长度方向对其进行梯度加热，对所述管状基底的进气管插入的一端加热温度最低、另一端加热温度最高；

（3）通过所述进气管向反应室内通入反应前驱体进行镀膜；

所述步骤（1）中，进气管上通孔的分布方式为：沿进气管圆周均匀分布一组通孔，沿进气管轴线方向，均匀分布多组通孔。

2.如权利要求1 所述一种改善管状基底内表面沉积薄膜均匀性的方法，其特征在于，所述步骤（1）中所述的进气管插入所述管状基底的一端为封闭端。

3.如权利要求2 所述一种改善管状基底内表面沉积薄膜均匀性的方法，其特征在于，所述封闭端从所述管状基底一端插入、从另一端伸出，各所述通孔位于所述管状基底内部。

4.如权利要求1 至3 任一所述一种改善管状基底内表面沉积薄膜均匀性的方法，其特征在于，所述进气管与所述管状基底轴心重合。

5.如权利要求1所述一种改善管状基底内表面沉积薄膜均匀性的方法，其特征在于，所述步骤（2）中，从所述管状基底的进气管插入的一端到其另一端的加热温度呈线性增长。

6.如权利要求1 所述一种改善管状基底内表面沉积薄膜均匀性的方法，其特征在于，所述步骤（3）包括以下步骤：

（i）向反应室内通入第一种反应前驱体;

(ii) 第一次通入氩气；

（iii）向反应室内通入第二种反应前驱体

（iv）第二次通入氩气

（v）重复上述步骤（i）至（iv），直到膜层厚度满足要求为止。