[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法

说明书

本发明适用于量子点发光二极管，提供了一种量子点发光二极管及其制备方法。所述量子点发光二极管，包括从下往上依次层叠设置的阳极、红/绿/蓝量子点发光层和阴极，还包括电荷产生层，且所述电荷产生层层叠设置于所述阳极和所述红/绿/蓝量子点发光层之间。所述量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供一阳极基板；在所述阳极基板上依次沉积电荷产生层和红/绿/蓝量子点发光层；在所述红/绿/蓝量子点发光层上沉积阴极。

技术领域

本发明属于量子点发光二极管领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。

背景技术

量子点发光二极管(QLED)是一种新型的电致发光器件，它具备高亮度、低功耗、可大面积溶液加工等诸多优势，近年来受到了学术界和产业界的广泛关注。如图1所示，传统的QLED通常由阳极(1’)、空穴注入层(2’)、空穴传输层(3’)、红/绿/蓝量子点发光层(6’)、电子传输层(7’)和阴极(8’)构成，其中，所述电子传输层可兼具电子传输和电子注入功能。由于现有的QLED其红、绿、蓝三色量子点发光材料的最高已占轨道(HOMO)能级都非常深，达到-6.5～-7.0eV，下面以设置有独立的电子传输层和电子注入层的QLED结构进行说明，如图2所示(其中，1’-3’依次为阳极、空穴注入层、空穴传输层、6’-9’依次为红/绿/蓝量子点发光层、电子传输层、阴极和电子注入层)，导致QLED中空穴的注入与传输势垒非常大，使得红/绿/蓝量子点发光层中空穴与电子的复合几率大幅减小(电荷不平衡造成)，最终导致QLED的电流效率(cd/A)与寿命的降低，从而限制了其在电视领域的发展空间。为了使QLED能够应用在电视领域，其发光效率和使用寿命有待提高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种含有电荷产生层的QLED，旨在解决由于红、绿、蓝三色量子点发光材料较深的HOMO能级导致现有QLED中空穴的注入/传输势垒大、空穴与电子的复合几率低、从而影响QLED的发光效率和使用寿命、进而限制其在电视领域的应用的问题。

本发明的另一目的在于提供一种QLED的制备方法。

本发明是这样实现的，一种QLED，包括从下往上依次层叠设置的阳极、红/绿/蓝量子点发光层和阴极，还包括电荷产生层，且所述电荷产生层层叠设置于所述阳极和所述红/绿/蓝量子点发光层之间。

以及，一种QLED的制备方法，包括以下步骤：

提供一阳极基板；

在所述阳极基板上依次沉积电荷产生层和红/绿/蓝量子点发光层；

在所述红/绿/蓝量子点发光层上沉积阴极。

本发明提供的QLED，引入了电荷产生层，所述电荷产生层能够产生大量的空穴，从而使空穴能够高效地注入所述红/绿/蓝量子点发光层。且所述电荷产生层的加入，降低了空穴注入/传输势垒，使得所述阳极与所述红/绿/蓝量子点发光层之间的能量差大幅降低，空穴能够有效传输到量子点中，从而使所述红/绿/蓝量子点发光层中空穴和电子的复合概率最大化，最终大幅提高QLED的电流效率和使用寿命，进而使得所述QLED能够应用于电视领域，在大幅降低能耗的具有较好的性能和使用寿命。

本发明提供的QLED的制备方法，只需在阳极基板上依次沉积个层材料即可，其工艺简单易控，易于实现产业化。

附图说明

图1是现有技术提供的QLED的结构示意图；

图2是现有技术提供的QLED的能量带隙图；

图3是本发明实施例提供的含有阳极、电荷产生层、量子点发光层和阴极的QLED的结构示意图；

图4是本发明实施例提供的含有阳极、第一空穴传输层、电荷产生层、量子点发光层和阴极的QLED的结构示意图；