[发明专利]半导体制造方法有效
| 申请号： | 201510578248.0 | 申请日： | 2015-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN105428400B | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 青山敬幸;加藤慎一 | 申请（专利权）人： | 株式会社思可林集团 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L21/28;H01L21/324 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 宋晓宝;向勇 |
| 地址： | 日本国京*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 以及 装置 | ||
1.一种半导体制造方法，用于形成由碳化硅形成的半导体基板的金半接触，其特征在于，包括：
离子注入工序，对半导体基板的一部分区域注入离子，形成杂质区域，
金属层形成工序，在所述杂质区域上形成金属层，以及
热处理工序，对形成了所述金属层的所述半导体基板以1秒以下的照射时间照射光进行加热；
所述热处理工序在包含氢的混合气体中以1秒以下的照射时间照射光来执行，由此，不会使氢从所述半导体基板的进行了氢封端处理的栅极氧化膜的界面附近解吸而对所述半导体基板加热，形成金半接触并还进行对所述杂质区域所注入的杂质的活化。
2.如权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于，
在所述热处理工序中被照射光的所述半导体基板的表面的达到温度为1000℃以上。
3.如权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于，
在所述热处理工序，还促进所述杂质区域的再结晶化。
4.如权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于，
在所述热处理工序中，将在光谱分布中波长300nm相对于波长500nm的相对强度为20％以上的光照射到所述半导体基板。
5.如权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于，
在所述热处理工序之前，还包括在所述金属层上形成光吸收膜的工序。
6.如权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于，
在所述离子注入工序中，在所述半导体基板的一个面形成n型杂质区域和p型杂质区域，
在所述金属层形成工序中，在所述n型杂质区域上形成镍层，并且在所述p型杂质区域上形成铝层，
在所述热处理工序中，通过对所述半导体基板的所述一个面的光照射，同时形成n型金半接触和p型金半接触。
7.如权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于，
在所述热处理工序中，从闪光灯对所述半导体基板照射闪光。
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