[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括：

在衬底上形成金属层；

氧化所述金属层的表面；

在所述金属层上形成包括半导体元件的元件形成层；

在所述元件形成层中形成沟槽；

将纯水或中性水溶液供应到至少形成所述沟槽的部分；

在停止所述纯水或所述中性水溶液的供应之后，从所述衬底分离所述元件形成层，与此同时，由于所述分离暴露的表面随着所述分离进行而被所述纯水或所述中性水溶液濡湿；以及

在所述分离步骤之后，将挠性衬底固定到所述元件形成层。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述元件形成层包括集成电路。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，以蒸汽形式通过喷涂来供应所述纯水或所述中性水溶液。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述纯水或所述中性水溶液由于毛细现象而普及。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述元件形成层在所述金属层与所述元件形成层之间的界面处从所述衬底分离。

6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述元件形成层在所述金属层与所述衬底之间的界面处从所述衬底分离。

7.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，同时执行供应所述纯水或所述中性水溶液的步骤和分离所述元件形成层的步骤。

8.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述半导体装置是显示器装置。

9.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述金属层包括从以下构成的组中选择的金属：钨、钼、钛、钽、铌、镍、钴、锆、锌、钌、铑、钯、锇、铱、或者它们的合金。

10.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，通过用含等离子体的氧处理所述表面来实现所述金属层的所述表面的氧化。

11.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，以雾状形式通过喷涂来供应所述纯水或所述中性水溶液。

12.一种半导体装置的制造方法，包括：

在衬底上形成金属层；

氧化所述金属层的表面；

在所述金属层上形成包括半导体元件的元件形成层；

产生剥离，使得所述元件形成层从所述衬底分离；

将纯水或中性水溶液供应到产生所述剥离的部分；

在停止所述纯水或所述中性水溶液的供应之后，在由于所述分离暴露的表面随着所述分离进行而被所述纯水或所述中性水溶液濡湿的同时，从所述衬底分离所述元件形成层；以及

在所述分离步骤之后，将挠性衬底固定到所述元件形成层。

13.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其中，以雾状形式通过喷涂来供应所述纯水或所述中性水溶液。

14.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其中，所述元件形成层包括集成电路。

15.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其中，以蒸汽形式通过喷涂来供应所述纯水或所述中性水溶液。

16.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其中，所述纯水或所述中性水溶液由于毛细现象而普及。

17.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其中，所述元件形成层在所述金属层与所述元件形成层之间的界面处从所述衬底分离。