[发明专利]双极晶体管

权利要求书

1.一种包括双极晶体管的半导体器件，所述双极晶体管包括：

集电极，所述集电极包括横向延伸的漂移区；

基极，所述基极位于所述集电极上方；

发射极，所述发射极位于所述基极上方；以及

掺杂区域，所述掺杂区域具有与所述集电极的导电类型不同的导电类型，所述掺杂区域在所述集电极下方横向延伸以在所述掺杂区域和所述集电极之间的接触区域处形成结，

其特征在于，所述掺杂区域具有不均匀的横向掺杂分布，以及

其中所述掺杂区域的掺杂级别在离所述双极晶体管的集电极-基极结最近的那部分掺杂区域中最高。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中离所述集电极-基极结最近的那部分掺杂区域垂直地位于所述集电极-基极结下方。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体器件，其中所述掺杂区域的垂直尺寸在离所述集电极-基极结最近且具有最高掺杂级别的那部分掺杂区域中最高。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中离所述集电极-基极结最近的那部分掺杂区域是向外扩散到比剩余掺杂区域更大程度的那部分掺杂区域。

5.根据权利要求1或2所述的半导体器件，包括：位于所述集电极的横向延伸的漂移区上方的隔离区域。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述集电极-基极结位于所述隔离区域中的开口处，并且所述集电极的垂直尺寸在离所述开口最近的那部分集电极的中最大。

7.根据权利要求1或2所述的半导体器件，还包括：

集电极触点，所述集电极触点用于与远离所述集电极-基极结的集电极的横向延伸的漂移区的末端电接触；以及

下沉物，所述下沉物从所述集电极触点向下延伸到所述集电极中。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述下沉物也沿朝向所述集电极-基极结的方向在隔离区域下方横向延伸，其中所述下沉物沿朝向所述集电极-基极结的方向的横向延伸减小了所述集电极的有效漂移长度。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括：垂直地位于所述集电极的横向延伸的漂移区上方的一个或更多个基极触点。

10.根据权利要求1或2所述的半导体器件，包括：在所述掺杂区域下方的另一个掺杂区域，其中所述另一个掺杂区域具有与所述掺杂区域相同的导电类型，并且所述另一个掺杂区域具有比所述掺杂区域的任意部分更低的掺杂级别。

11.根据权利要求1或2所述的半导体器件包括：用于向所述掺杂区域施加电势的触点。

12.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中所述双极晶体管是npn双极晶体管，在所述npn双极晶体管中所述集电极和所述发射极的导电类型是n型并且所述基极的导电类型是p型。

13.一种功率放大器，包括根据前述任一项权利要求所述的半导体器件。

14.一种制造包括双极晶体管的半导体器件的方法，所述方法包括：

形成集电极，所述集电极包括横向延伸的漂移区；

形成基极，所述基极位于所述集电极上方；

形成发射极，所述发射极位于所述基极上方；以及

形成掺杂区域，所述掺杂区域具有与所述集电极的导电类型不同的导电类型，所述掺杂区域在所述集电极下方横向延伸以在所述掺杂区域和所述集电极之间的接触区域处形成结，

其中所述掺杂区域具有不均匀的横向掺杂分布，以及

其中所述掺杂区域的掺杂级别在离所述双极晶体管的集电极-基极结最近的那部分掺杂区域中最高。

15.根据权利要求14所述的方法，其中形成所述掺杂区域还包括：加热步骤，在加热步骤中离集电极-基极结最近的那部分掺杂区域向外扩散到比所述掺杂区域的任何其他部分更大的空间范围。