[发明专利]处理模块、处理装置及处理方法在审
申请号: | 201510579253.3 | 申请日: | 2015-09-11 |
公开(公告)号: | CN105428275A | 公开(公告)日: | 2016-03-23 |
发明(设计)人: | 山口都章;水野稔夫;小畠严贵 | 申请(专利权)人: | 株式会社荏原制作所 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306;B24B37/013;B24B39/06 |
代理公司: | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人: | 彭里 |
地址: | 日本东京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 模块 装置 方法 | ||
1.一种处理模块,其通过一边使直径小于处理对象物的研磨垫接触所述处理对象物,一边使所述处理对象物与所述研磨垫相对运动来进行研磨处理,该处理模块的特征在于,包括:
状态检测部,其对进行所述研磨处理之前或者所述研磨处理实施过程中的所述处理对象物的研磨处理面的状态进行检测;以及
控制部,其根据由所述状态检测部检测到的研磨处理面的状态对处理对象物的研磨处理面的一部分的研磨处理的条件进行控制。
2.根据权利要求1所述的处理模块,其特征在于,
所述状态检测部对处理对象物的研磨处理面的膜厚或者相当于膜厚的信号的分布进行检测,
所述控制部根据由所述状态检测部检测到的研磨处理面的膜厚或者相当于膜厚的信号的分布,对处理对象物的研磨处理面的一部分的研磨处理的条件进行控制。
3.根据权利要求2所述的处理模块,其特征在于,
所述状态检测部包括对进行所述研磨处理之前的所述处理对象物的研磨处理面的膜厚或者相当于膜厚的信号的分布进行检测的膜厚测定器,
所述控制部根据由所述膜厚测定器检测到的膜厚或者相当于膜厚的信号的分布,使已检测出该膜厚或者相当于膜厚的信号的分布的处理对象物的研磨处理面的一部分的研磨处理的条件不同于其他部分的研磨处理的条件。
4.根据权利要求2所述的处理模块,其特征在于,
所述状态检测部包括对所述研磨处理实施过程中的所述处理对象物的研磨处理面的膜厚或者相当于膜厚的信号的分布进行检测的涡流传感器或光学传感器中的某一种或者这些传感器的组合,
所述控制部根据由所述涡流传感器或光学传感器检测到的膜厚分布,使已检测出该膜厚或者相当于膜厚的信号的分布的处理对象物的研磨处理面的一部分的研磨处理的条件不同于其他部分的研磨处理的条件。
5.根据权利要求2所述的处理模块,其特征在于,
所述状态检测部为对在进行所述研磨处理之后进行过清洗处理的所述处理对象物的研磨处理面的膜厚或者相当于膜厚的信号的分布进行检测的膜厚测定器,
所述控制部根据由所述膜厚测定器检测到的膜厚或者相当于膜厚的信号的分布,使已检测出该膜厚或者相当于膜厚的信号的分布的处理对象物的研磨处理面的一部分再次进行研磨处理。
6.根据权利要求2所述的处理模块,其特征在于,
所述状态检测部还包括对进行所述研磨处理之后的所述处理对象物的研磨处理面的膜厚或者相当于膜厚的信号的分布进行检测的膜厚测定器,
所述控制部根据由所述膜厚测定器检测到的膜厚或者相当于膜厚的信号的分布,从针对已检测出该膜厚或者相当于膜厚的信号的分布的处理对象物的一部分的研磨处理的条件变更为已检测出该膜厚或者相当于膜厚的信号的分布的处理对象物的后续处理对象物的一部分的研磨处理的条件。
7.根据权利要求2所述的处理模块,其特征在于,
还包括存储有所述处理对象物的研磨处理面的预先设定好的目标膜厚或者相当于目标膜厚的信号的分布的存储部,
所述控制部根据由所述状态检测部检测到的研磨处理面的膜厚或者相当于膜厚的信号的分布与所述存储部中所存储的目标膜厚或者相当于目标膜厚的信号的分布的差分,对处理对象物的研磨处理面的一部分的研磨处理的条件进行控制。
8.根据权利要求2所述的处理模块,其特征在于,
所述存储部中预先存储有针对多个研磨处理的条件中的每一个的研磨量,
所述控制部根据由所述状态检测部检测到的研磨处理面的膜厚或者相当于膜厚的信号的分布、以及所述存储部中所存储的针对多个研磨处理的条件中的每一个的研磨量,对处理对象物的研磨处理面的一部分的研磨处理的条件进行控制。
9.根据权利要求1所述的处理模块,其特征在于,包括:
保持所述处理对象物的工作台;
安装有所述研磨垫的头部;以及
保持所述头部的臂部,
该处理模块通过对所述处理对象物供给处理液,使所述工作台及所述头部旋转,使所述研磨垫接触所述处理对象物并摆动所述臂部来对所述处理对象物进行研磨处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造