[发明专利]一种检查电路中MOS场效应管栅极悬空的方法及系统有效

专利信息
申请号: 201510579418.7 申请日: 2015-09-12
公开(公告)号: CN105137329B 公开(公告)日: 2018-07-20
发明(设计)人: 曹云;于明 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: G01R31/316 分类号: G01R31/316
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 检查 电路 mos 场效应 栅极 悬空 方法 系统
【权利要求书】:

1.一种检查电路中MOS场效应管栅极悬空的方法,其特征在于,包括:

在所述电路的PAD端接入相应的PAD信号;

将所述PAD信号从该PAD端开始,依次经电路的各个元器件传导至该电路的最末端,其中,在所述PAD信号的传导过程中,对电路的元器件做等效处理,所述PAD信号传导至电阻、电感或正向二极管时,所述PAD信号将电阻、电感或正向二极管视作导线并直通而过,所述PAD信号传导至双极性晶体管或三极管时,所述PAD信号将双极性晶体管或三极管等效于发射极与集电极直通的支路从发射极E直接传到集电极C,所述PAD信号传导至电容或反向二极管时,所述PAD信号将电容或反向二极管视作断路并绕道而过,所述PAD信号传导至MOS场效应管时,所述PAD信号将MOS场效应管视作开启状态,并从MOS场效应管的源极S端直接传到漏极D端;

判断电路中的MOS场效应管的栅极电压是否受所述PAD信号的控制,若是,则判定该MOS场效应管的栅极G不悬空;若否,则判定该MOS场效应管的栅极G悬空。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述电路的元器件还包括电阻、电感、电容、二极管、双极性晶体管和三极管中的至少一种。

3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述电路为多层结构的集成电路,所述方法还包括:在将所述PAD信号传导之前,合并所述集成电路的不同层次结构,产生只含有一层结构的等效电路,PAD信号在所述等效电路中传导。

4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,在合并所述集成电路的不同层次结构,产生所述等效电路时,所述集成电路中的电阻、电感和正向二极管在所述等效电路中变为导线,所述集成电路中的电容和反向二极管在所述等效电路中变为断路,所述集成电路中的双极性晶体管和三极管在所述等效电路中变为发射极与集电极直通的支路。

5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述PAD端包括供电端、信号输入/输出端、测试PAD端以及接地端,所述PAD信号包括电源信号、所有输入/输出信号、测试信号以及地信号;在所述电路的PAD端接入相应的PAD信号时,信号依次传输到电路中,且电源信号最先传输,所有输入/输出信号、测试信号依次输入,地信号最后传输入电路。

6.一种检查电路中MOS场效应管栅极悬空的系统,其特征在于,包括:

电路等效处理单元,连接所述电路,用于合并所述电路的不同层次结构,产生只含有一层结构的等效电路;

PAD信号传递单元,连接所述电路等效处理单元,用于在所述等效电路的PAD端接入相应的PAD信号后,将该PAD信号从所述PAD端开始,依次经等效电路中的各个电子元件传导至该电路的最末端,其中,所述电路等效处理单元将电阻、电感和正向二极管等效为导线,所述PAD信号传导至电阻、电感或正向二极管时直通而过,所述电路等效处理单元将电容和反向二极管等效于断路,所述PAD信号传导至电容或反向二极管时绕道而过,所述电路等效处理单元将双极性晶体管和三极管等效于发射极与集电极直通的支路,所述PAD信号传导至双极性晶体管或三极管时从发射极E直接传到集电极C,所述PAD信号传导至MOS场效应管时,所述PAD信号将MOS场效应管视作开启状态,并从MOS场效应管的源极S端直接传到漏极D端;

悬空判断单元,连接所述PAD信号传递单元,用于在所述PAD信号传导过程中,判断出电路中的MOS场效应管的栅极电压是否受所述PAD信号的控制,若是,则判定该MOS场效应管的栅极G不悬空;若否,则判定该MOS场效应管的栅极G悬空。

7.如权利要求6所述的系统,其特征在于,所述电路的元器件还包括电阻、电感、电容、二极管、双极性晶体管和三极管中的至少一种。

8.如权利要求6所述的系统,其特征在于,所述PAD端包括供电端、信号输入/输出端、测试PAD端以及接地端,所述PAD信号包括电源信号、所有输入/输出信号、测试信号以及地信号;在所述电路的PAD端接入相应的PAD信号时,信号依次传输到电路中,且电源信号最先传输,所有输入/输出信号、测试信号依次输入,地信号最后传输入电路。

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