[发明专利]一种低海拔高积温地区的魔芋种植方法有效
申请号: | 201510579853.X | 申请日: | 2015-09-14 |
公开(公告)号: | CN105165346B | 公开(公告)日: | 2017-07-28 |
发明(设计)人: | 邓云辉;钟果林 | 申请(专利权)人: | 湖南博嘉魔力农业科技有限公司 |
主分类号: | A01G1/00 | 分类号: | A01G1/00;A01G13/02;A01G13/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 418300 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 海拔 积温 地区 魔芋 种植 方法 | ||
1.一种低海拔高积温地区的魔芋种植方法,其特征在于,它包括如下步骤:
①、选种,选取饱满、重量为4-6g的一代种芋,并在阳光下晾晒,消耗掉20-30%的水分,并进行抗病消毒处理;
②、起垅,用土在种植地里堆积出30-50cm高的土垅;
③、种植,在3月份,将种芋种植到步骤②的土垅内;芋种上面履盖细土3-4.5cm
④、盖草,在步骤③种植好种芋的土垅上覆盖草层,草层厚度为3-4cm;
⑤、遮阴,用高杆植物对步骤④中的种芋进行遮阴,遮阴的面积为50-70%;
⑥、洒药,在4-5月份时,步骤⑤中的种芋会出苗,出苗后进行预防软腐病和白绢病的药水喷洒,喷洒的次数为4-6次,喷洒的时间间隔为8-12d;
⑦、挖种,9-10月份时,从土垅内挖出生长膨胀和无性分裂繁殖的魔芋;
⑧、取二代种芋,将步骤⑦挖出来的魔芋无性分裂繁殖出来的部分取下,备用为一代种芋,余下膨胀体作为二代种芋,将二代种芋在阳光下晾晒,消耗掉20-30%的水分,并进行抗病消毒处理;
⑨、二代种芋的种植全过程,将步骤⑧中的二代种芋重复步骤②-⑦的种植过程;
⑩、取三代种芋,将步骤⑨中挖出来的魔芋无性分裂繁殖出来的部分取下,备用为一代种芋,余下膨胀体作为三代种芋,将三代种芋在阳光下晾晒,消耗掉20-30%的水分,并进行抗病消毒处理;
⑪、三代种芋的种植全过程,将步骤⑩中的三代种芋重复步骤②-⑦的种植过程;
⑫、得最终魔芋成品,将步骤⑪中挖出来的魔芋无性分裂繁殖出来的部分取下,备用为一代种芋,余下膨胀体为最终魔芋成品;
步骤③种植过程中,下种的深度不大于5cm;
步骤①、步骤⑧和步骤⑩中的种芋的抗病消毒处理方法如下:
1)、喷洒,将种芋均匀的铺设在地面上,并将浓度为72%的农用链霉素稀释800-1000倍后的稀释液喷洒在种芋上;
2)、移位,将步骤1)中喷洒了稀释后的农用链霉素的种芋放置到布片上;
3)、配药粉,将49%的生石灰、49%的草木灰和2%的硫磺分别磨碎至粒子大小于120目,之后将这三种粉粒倒入容器中,并搅拌5min得到抗病药粉;
4)、撒药粉,将步骤3)配置好的抗病药粉撒到步骤2)布片上的种芋上,再摆动布片,让药粉均匀的包裹住种芋;
5)、装框,将步骤4)中包裹有药粉的种芋晾晒,消耗掉8-12%的水分,并且进行装框,得到处理好待下种的种芋。
2.根据权利要求1所述的一种低海拔高积温地区的魔芋种植方法,其特征在于,步骤①中选取的一代种芋重量为4.8-5.2g。
3.根据权利要求1所述的一种低海拔高积温地区的魔芋种植方法,其特征在于,步骤②起垅的高度为40cm。
4.根据权利要求1所述的一种低海拔高积温地区的魔芋种植方法,其特征在于,步骤④盖草的厚度为3cm。
5.根据权利要求1所述的一种低海拔高积温地区的魔芋种植方法,其特征在于,步骤⑤遮阴的面积为60%。
6.根据权利要求1所述的一种低海拔高积温地区的魔芋种植方法,其特征在于,步骤⑥中洒药的次数为5次,间隔时间为10d。
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