[发明专利]一种信号毛刺消除电路有效
申请号: | 201510580200.3 | 申请日: | 2015-09-11 |
公开(公告)号: | CN105227162B | 公开(公告)日: | 2018-03-16 |
发明(设计)人: | 林鹏程 | 申请(专利权)人: | 英特格灵芯片(天津)有限公司 |
主分类号: | H03K5/22 | 分类号: | H03K5/22;H03K19/094 |
代理公司: | 北京亿腾知识产权代理事务所11309 | 代理人: | 陈霁 |
地址: | 300457 天津市塘沽区信环*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 信号 毛刺 消除 电路 | ||
1.一种信号毛刺消除电路,其特征在于,包括:比较器单元(01)、参考电压选择单元(02)和毛刺消除单元(03);其中,
所述参考电压选择单元(02),用于接收第一参考电压(VH)和第二参考电压(VL),以及接收所述毛刺消除单元(03)输出的第二输出信号(VOUT);所述参考电压选择单元(02)根据所述毛刺消除单元(03)输出的第二输出信号(VOUT)确定所述第一参考电压(VH)或所述第二参考电压(VL)为参考电压(VREF),并输出;
所述比较器单元(01),用于接收输入信号(VIN)和所述参考电压(VREF),并根据所述输入信号(VIN)及所述参考电压(VREF)产生第一输出信号(COUT),并输出;
所述比较器单元(01)包括比较器(11)和电流驱动器(12);其中,
所述比较器(11)的正向输入端接收所述输入信号(VIN),所述比较器(11)的负向输入端接收所述参考电压(VREF),所述比较器(11)将所述输入信号(VIN)的上升沿或下降沿与所述参考电压(VREF)比较,并输出比较结果;所述电流驱动器(12)根据所述比较结果输出电流值(IREF),并将电流值(IREF)作为所述第一输出信号(COUT);所述电流值(IREF)为上拉电流源或下拉电流阱;
所述毛刺消除单元(03),用于接收所述第一输出信号(COUT),并对所述第一输出信号(COUT)进行消除毛刺处理,产生第二输出信号(VOUT);所述毛刺消除单元(03)将所述第二输出信号(VOUT)输出到外部,以及输出到所述参考电压选择单元(02);
所述毛刺消除单元(03)包括电容器(31)、施密特触发器(32)和反相器(33);其中,
所述电容器(31)的正极与所述施密特触发器(32)的输入端连接,并接收第一输出信号(COUT),所述施密特触发器(32)的输出端与所述反相器(33)的输入端连接,所述反相器(33)输出所述第二输出信号(VOUT);
所述毛刺消除单元(03)消除信号毛刺宽度可以通过公式计算,具体公式为:VTH*C1/IREF和(VDD-VTL)*C1/IREF;其中,VTH为所述施密特触发器(32)的上升沿阈值电压,VDD为施密特触发器(32)的电源电压,VTL为所述施密特触发器(32)的下降沿阈值电压,C1为所述电容器(31)的电容,IREF为所述第一输出信号(COUT)的电流值。
2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述参考电压选择单元(02)包括反相器(21)、第一MOS管(22)和第二MOS管(23);其中,
所述反相器(21)的负向输出端与所述第一MOS管(22)的栅极连接,所述反相器(21)的正向输入端与所述第二MOS管(23)的栅极连接,并接收所述第二输出信号(VOUT);
所述第一MOS管(22)的源极接收第一参考电压(VH),所述第二MOS管(23)的源极接收第二参考电压(VL),所述第一MOS管(22)与第二MOS管(23)的漏极连接,并根据所述第二输出信号(VOUT)的高低将所述第一参考电压(VH)或所述第二参考电压(VL)确定为所述参考电压(VREF),并输出。
3.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述比较器单元(01)包括负载,所述负载为电阻负载、二极管负载和电流镜负载的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述比较器单元(01)中所述电流驱动器(12)的电流驱动输出方式为直接镜像负载电流输出、开关控制电流源输出和开关控制电流阱输出的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述参考电压选择单元(02)中的第一MOS管(22)为NMOS管、PMOS管或互补开关管,以及第二MOS管(23)为NMOS管、PMOS管或互补开关管。
6.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述毛刺消除单元(03)中的电容器(31)为MOS电容器、金属-绝缘体-金属电容器(MIM电容器)或复晶硅电容器(POLY电容器)。
7.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述毛刺消除单元(03)包括电容,以及施密特触发器和/或反相器。
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