[发明专利]三个负跨导放大器构成的大电感值、高Q值可调节有源电感

权利要求书

1.三个负跨导放大器构成的大电感值、高Q值可调节有源电感，其特征在于，包括第一负跨导放大器，第二负跨导放大器，第三负跨导放大器，第一电流源，第二电流源，第三电流源，有源反馈电阻，源极负反馈；

其中，第一负跨导放大器由第四NMOS晶体管(M₄)构成，第二负跨导放大器由第五NMOS晶体管(M₅)构成，第三负跨导放大器由第六PMOS晶体管(M₆)构成，三个负跨导放大器首尾相接构成回转器结构，把第六PMOS晶体管(M₆)栅极和源极之间的等效电容C_GS6用做负载电容转换为等效电感；第一电流源由第一NMOS晶体管(M₁)构成，为第六PMOS晶体管(M₆)提供偏置电流，第二电流源由第二PMOS晶体管(M₂)构成，为第四NMOS晶体管(M₄)提供偏置电流，第三电流源由第三PMOS晶体管(M₃)构成，为第五NMOS晶体管(M₅)提供偏置电流，通过调节电流源晶体管的第一控制电压V_Bias1、第二控制电压V_Bias2与第三控制电压V_Bias3，实现对有源电感的等效电感值和品质因子Q值的可调节；有源反馈电阻由第七NMOS晶体管(M₇)和第七无源电阻R_f并联构成，通过调节第七NMOS管控制电压V_Ctrl7，可实现对有源反馈电阻等效电阻值的调节，进而实现对有源电感的等效电感值和品质因子Q值的调节；源极负反馈由第八无源电阻R₈和第八无源电容C₈并联构成；

其中，第四NMOS晶体管(M₄)的栅极作为第一负跨导放大器的输入端，第四NMOS晶体管(M₄)的漏极作为第一负跨导放大器的输出端，第五NMOS晶体管(M₅)的栅极作为第二负跨导放大器的输入端，第五NMOS晶体管(M₅)的漏极作为第二负跨导放大器的输出端，第六PMOS晶体管(M₆)的栅极作为第三负跨导放大器的输入端，第六PMOS晶体管(M₆)的漏极作为第三负跨导放大器的输出端，第一NMOS晶体管(M₁)的漏极作为第一电流源的输入端，第二PMOS晶体管(M₂)的漏极作为第二电流源的输入端，第三PMOS晶体管(M₃)的漏极作为第三电流源的输入端，第七无源电阻R_f第一端作为有源反馈电阻输入端，第七无源电阻R_f第二端作为有源反馈电阻输出端，第八无源电阻R₈的第一端作为源极负反馈的输入端；

其中，第一NMOS晶体管(M₁)的栅极与第一控制电压V_Bias1相连接，第一NMOS晶体管(M₁)的源极与地相连接，第一NMOS晶体管(M₁)的漏极同时与第六PMOS晶体管(M₆)的漏极、第七无源电阻R_f第一端、第七NMOS晶体管(M₇)漏极相连接；第二PMOS晶体管(M₂)的栅极与第二控制电压V_Bias2相连接，第二PMOS晶体管(M₂)的源极与电源相连接，第二PMOS晶体管(M₂)的漏极同时与第四NMOS晶体管(M₄)的漏极、第五NMOS晶体管(M₅)的栅极相连接；第三PMOS晶体管(M₃)的栅极与第三控制电压V_Bias3相连接，第三PMOS晶体管(M₃)的源极与电源相连接，第三PMOS晶体管(M₃)的漏极同时与第五NMOS晶体管(M₅)的漏极、第六PMOS晶体管(M₆)的栅极相连接；第四NMOS晶体管(M₄)的栅极同时与第七无源电阻R_f第二端、第七NMOS晶体管(M₇)源极相连接，第四NMOS晶体管(M₄)的源极同时与第八无源电阻R₈的第一端、第八无源电容C₈第一端相连接；第五NMOS晶体管(M₅)的源极与地相连接，第六PMOS晶体管(M₆)的源极与电源相连接，第七NMOS晶体管(M₇)栅极与第七控制电压V_Ctrl7相连接，第八无源电阻R₈的第二端与第八无源电容C₈第二端同时与地相连接。