[发明专利]具有场电极结构、栅极结构和辅助二极管结构的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

场电极结构(160)，在半导体主体(100)中在与第一表面(101)垂直的方向上延伸；

单元台体(170)，由所述半导体主体(100)的在所述场电极结构(160)之间的部分构成，并且包括主体区域(115)，所述主体区域与漂移区(121)一起形成第一pn结(pn1)；

栅极结构(150)，形成在所述场电极结构(160)之间，并且被配置为控制通过所述主体区域(115)的电流；以及

辅助二极管结构(LD)，具有小于所述第一pn结(pn1)的正向电压、并且与所述第一pn结(pn1)并联地电连接，其中所述辅助二极管结构(LD)的半导体部分形成在所述单元台体(170)中。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述第一pn结(pn1)被配置为在所述半导体器件(500)的反向偏置操作状态下导电。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中

所述场电极结构(160)沿与所述第一表面(101)平行的第一水平方向的第一横向延伸，是所述场电极结构(160)沿与所述第一水平方向正交并且与所述第一表面(101)平行的第二水平方向的第二横向延伸的最多三倍。

4.根据权利要求1到3中的任一所述的半导体器件，其中

所述辅助二极管结构(LD)是肖特基接触(SC)。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中

所述肖特基接触(SC)形成在所述漂移区(121)与导电结构(311)之间的界面处，每个所述导电结构(311)在所述栅极结构(160)中的一个与所述场电极结构(160)中的一个之间延伸、从所述第一表面(101)延伸到所述半导体主体(100)中。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中

所述导电结构(311)与所述场电极结构(160)直接毗连。

7.根据权利要求5或6所述的半导体器件，其中

每个场电极结构(160)包括场电极(165)以及将所述场电极(165)与所述半导体主体(100)分别地隔开的场电介质(161)，并且每个导电结构(311)夹设在所述单元台体(170)中的一个与所述场电介质(161)中的一个之间。

8.根据权利要求5或6所述的半导体器件，其中

每个场电极结构(160)包括场电极(165)以及将所述场电极(165)与所述半导体主体(100)隔开的场电介质(161)，并且每个导电结构(311)夹设在所述单元台体(170)中的一个与所述场电极(165)中的一个之间。

9.根据权利要求5或6所述的半导体器件，其中

所述导电结构(311)将所述场电极结构(160)与所述第一表面(101)分别地隔开。

10.根据权利要求5所述的半导体器件，其中

所述导电结构(311)与所述场电极结构(160)隔开，并且延伸穿过所述主体区域(115)。

11.根据权利要求4所述的半导体器件，其中

所述栅极结构(150)形成在所述单元台体(170)与所述场电极结构(160)之间，并且所述肖特基接触(SC)形成在所述单元台体(170)与所述场电极结构(160)之间。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中

所述肖特基接触(SC)形成在所述漂移区(121)与导电结构(311)之间的界面处，每个导电结构(311)从所述第一表面(101)延伸到所述场电极结构(160)中的一个的场电介质(161)中，并且与毗连的所述单元台体(170)直接毗连。

13.根据权利要求1到3中的任一所述的半导体器件，其中

所述辅助二极管结构(LD)是MOS栅控二极管(140)，所述MOS栅控二极管(140)具有：二极管电极(145)，电连接到源极区域(110)，所述源极区域(110)与所述主体区域(115)一起形成第二pn结(pn2)；以及二极管电介质(141)，分别地夹设在所述二极管电极(145)与所述主体区域(115)之间。