[发明专利]三相不等气隙的三芯柱半匝电抗器及其制造方法

权利要求书

1.一种三相不等气隙的三芯柱半匝电抗器，包括A相铁芯柱、B相铁芯柱、C相铁芯柱、两个横轭铁以及分别套至于所述A相铁芯柱、B相铁芯柱、C相铁芯柱上的线圈，所述A相铁芯柱、B相铁芯柱、C相铁芯柱依次间隔地连接于所述两个横轭铁芯之间，该两个横轭铁芯平行间隔设置；所述A相铁芯柱、B相铁芯柱、C相铁芯柱均包括层叠设置的硅钢片以及气隙块；其特征在于，所述A相铁芯柱、B相铁芯柱、C相铁芯柱的横截面积相同，其电气匝数值依次分别为N、N+0.5、N+1，各相铁芯柱的气隙总厚度Lg=0.4*π*W^2*S*10^-8/L，三相气隙Lg不相等；其中W表示匝数，S表示一相铁芯的有效截面积，L为电感量。

2.根据权利要求1所述的三相不等气隙的三芯柱半匝电抗器，其特征在于，所述A相铁芯柱、B相铁芯柱、C相铁芯柱外涂有环氧胶。

3.根据权利要求2所述的三相不等气隙的三芯柱半匝电抗器，其特征在于，该两个横轭铁芯均呈长方体状。

4.一种三相不等气隙的三芯柱半匝电抗器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

a、预设A相铁芯柱的线圈电气匝数值为N，B相铁芯柱的线圈应电气匝数值为N+0.5，C相铁芯柱的线圈应电气匝数值为N+1；

b、根据各相铁芯柱的电气匝数值W、铁芯截面积S、额定电感量L以及工作频率f计算出各相铁芯柱总气隙Lg=0.4*π*W^2*S*10^-8/L，三相气隙Lg不相等；

c、根据计算得到的各相铁芯柱的气隙个数以及每个气隙的厚度分别放置好各相铁芯柱的各层硅钢片以及气隙块，分别在A相铁芯柱、B相铁芯柱、C相铁芯柱套入对应的各相线圈；

d、将所述A相铁芯柱、所述B相铁芯柱以及所述C相铁芯柱依次间隔地连接于两个横轭之间，该两个横轭平行间隔设置。

5.根据权利要求4所述的一种三相不等气隙的三芯柱半匝电抗器的制造方法，其特征在于，在所述步骤c中，在分别将在A相铁芯柱、B相铁芯柱、C相铁芯柱套入对应的各相线圈前还包括以下步骤：

在各相铁芯柱的外侧壁上涂环氧胶。

6.根据权利要求5所述的一种三相不等气隙的三芯柱半匝电抗器的制造方法，其特征在于，还包括步骤e：

对所述步骤d中得到成品进行真空浸漆及烘烤。