[发明专利]一种缺陷诱导石墨烯基电极材料的制备方法

权利要求书

1.一种缺陷诱导石墨烯基电极材料的制备方法，其特征在于一种缺陷诱导石墨烯基电极材料的制备方法是按照以下步骤进行的：

一、将集电极材料置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，在温度为300℃～800℃、压强为200Pa～900Pa、射频功率为75W～225W、氩气的气体流量为40sccm～120sccm及CH₄气体的气体流量为5sccm～50sccm的条件下，沉积时间为5min～60min，得到沉积石墨烯的集电极材料；

二、沉积结束后，关闭CH₄气体，调节温度至刻蚀温度为400℃～800℃，调节氩气的气体流量为5sccm～100sccm，调节刻蚀压强为50Pa～300Pa，开启等离子体电源后，调节射频功率为100W～200W，同时旋转样品台使得沉积石墨烯的集电极材料与水平方向保持0°～45°的角度，然后在刻蚀温度为400℃～800℃、氩气的气体流量为5sccm～100sccm、刻蚀压强为50Pa～300Pa及射频功率为100W～200W的条件下，一次刻蚀1s～100s，再旋转样品台使得沉积石墨烯的集电极材料与水平方向保持-45°～0°的角度，然后在刻蚀温度为400℃～800℃、氩气的气体流量为5sccm～100sccm、刻蚀压强为50Pa～300Pa及射频功率为100W～200W的条件下，二次刻蚀1s～100s，得到表面刻蚀处理后的石墨烯；

三、刻蚀结束后，关闭射频电源和加热电源，以氩气为保护气体，冷却到室温，即完成缺陷诱导石墨烯基电极材料的制备方法。

2.根据权利要求1所述的一种缺陷诱导石墨烯基电极材料的制备方法，其特征在于步骤一中所述的集电极材料为金属镍、铜、铝、铁、金、铂、泡沫镍、碳纤维布或石墨纸。

3.根据权利要求1所述的一种缺陷诱导石墨烯基电极材料的制备方法，其特征在于步骤二中调节温度至刻蚀温度为400℃～700℃。

4.根据权利要求1所述的一种缺陷诱导石墨烯基电极材料的制备方法，其特征在于步骤二中调节温度至刻蚀温度为500℃。

5.根据权利要求1所述的一种缺陷诱导石墨烯基电极材料的制备方法，其特征在于步骤二中调节温度至刻蚀温度为700℃。

6.根据权利要求1所述的一种缺陷诱导石墨烯基电极材料的制备方法，其特征在于步骤二中调节氩气的气体流量为40sccm。

7.根据权利要求1所述的一种缺陷诱导石墨烯基电极材料的制备方法，其特征在于步骤二中调节氩气的气体流量为70sccm。

8.根据权利要求1所述的一种缺陷诱导石墨烯基电极材料的制备方法，其特征在于步骤二中调节刻蚀压强为250Pa。

9.根据权利要求1所述的一种缺陷诱导石墨烯基电极材料的制备方法，其特征在于步骤二中一次刻蚀1s～50s，二次刻蚀1s～50s。

10.根据权利要求1所述的一种缺陷诱导石墨烯基电极材料的制备方法，其特征在于步骤二中一次刻蚀15s，二次刻蚀15s。