[发明专利]一种OLED显示面板及其制备方法有效
申请号: | 201510582959.5 | 申请日: | 2015-09-14 |
公开(公告)号: | CN105280684B | 公开(公告)日: | 2019-03-12 |
发明(设计)人: | 牟鑫;邹忠哲;林信志;张斌 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201506 上海市金山区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
本发明涉及OLED显示技术领域,尤其涉及一种OLED显示面板及其制备方法,通过在OLED显示面板的制备过程中,于阳极和OLED器件层之间形成一低灰阶的色偏改善层;或于OLED器件层和阴极之间形成该色偏改善层;或同时于阳极和OLED器件层之间以及OLED器件层和阴极之间均形成有该色偏改善层,进而通过调整色偏改善层的厚度或掺杂浓度以解决低灰阶下的色偏问题,并提高OLED显示面板发光颜色的准确度。
技术领域
本发明涉及OLED显示技术领域,尤其涉及一种OLED显示面板及其制备方法。
背景技术
OLED即有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode),因为具备轻薄、省电等特性,因此这种显示设备在数码产品上得到了广泛的运用。OLED显示技术相比较传统的LCD(Liquid Crystal Display,即液晶显示器)显示方式不同,无需背光灯,采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板,当有电流通过时,这些有机材料就会发光。作为显示设备OLED显示屏同样会受到环境因素的影响,特别是在强光的环境下,OLED显示屏的显示效果同样会有所下降。
OLED主要是通过TFT(Thin film transistor,即薄膜晶体管)控制输出电流的大小,从而显示不同的亮度,TFT-OLED的结构如图1所示。
由于低灰阶下,虽然OLED的亮度很低,若255灰阶亮度为250nits,20灰阶的亮度大约在1nits左右,与之相对应的红光和绿光子像素亮度仅为几十尼特(nit),蓝光子像素仅为几尼特,子像素所需的电流为10-10-11A,而TFT关态漏电流大约也在此范围内,因此TFT的漏电流就有可能将OLED点亮,导致OLED在黑画面时会微微发亮;另一方面,因为低灰阶下OLED仍存在一定的跨压,若R、G、B子像素需要的开启电压不一致,开启电压最低的像素最容易被点亮,因此低灰阶下容易出现色偏的缺陷。
因此,要改善OLED面板的低灰阶色偏,一方面应努力降低TFT的漏电流;另一方面,应努力降低OLED在低电压下的电流密度;一种新型的技术方案用以克服上述技术难题成为本领域技术人员致力于研究的方向。
发明内容
鉴于现有技术中的不足,本发明技术方案提供一种OLED显示面板及其制备方法。本技术方案通过在OLED显示面板制备的过程中,增加至少一层色偏改善层的制备工艺,进而通过调整色偏改善层的厚度或掺杂浓度以解决低灰阶下的色偏问题,并提高OLED面板发光颜色的准确度。
本发明为解决上述技术问题所采用的技术方案为:
一种OLED显示面板,其特征在于,所述OLED显示面板包括:
基板;
薄膜晶体管,设置于所述基板的上方;
平坦层,设置于所述薄膜晶体管的上方,且所述平坦层包含贯穿该平坦层的通孔;
第一电极,设置于所述平坦层之上,并经由所述通孔与所述薄膜晶体管电性连接;
OLED器件层,设置于所述第一电极之上;
第二电极,设置于所述OLED器件层之上;以及
色偏改善层,设置于所述第一电极与所述OLED器件层之间和/或所述OLED器件层与所述第二电极之间;以及
封装盖板,设置于所述第二电极的上方。
优选的,上述的OLED显示面板,其中,所述第一电极为阳极,且所述第二电极为阴极。
优选的,上述的OLED显示面板,其中,所述色偏改善层包括一种或多种掺杂物掺杂形成。
优选的,上述的OLED显示面板,其中,所述色偏改善层中的掺杂物为N-型掺杂物或P-型掺杂物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的