[发明专利]半导体激光器用外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201510583257.9 | 申请日： | 2015-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN105071223A | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | 马淑芳;田海军;吴小强;梁建;董海亮 | 申请（专利权）人： | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 | 代理人： | 董芙蓉 |
| 地址： | 041600 山西省*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 器用 外延 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体激光器外延片，其特征在于：所述外延片的结构为：在n-GaAs衬底上由下至上外延生长n-GaAs缓冲层，n-AlxGa1-xAs渐变层，n-AlxGa1-xAs下限制层，AlxGa1-xAs下波导层，有源层，AlxGa1-xAs上波导层，p-AlxGa1-xAs上限制层，p-AlxGa1-xAs渐变层，p-GaAs顶层；所述AlxGa1-xAs上波导层的厚度小于所述AlxGa1-xAs下波导层厚度；所述有源层采用应变补偿量子阱结构。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器外延片，其特征在于：所述上波导层和下波导层的厚度范围为70nm至2000nm。
3.根据权利要求1所述的半导体激光器外延片，其特征在于：所述有源层由一个或多个InxGa1-xAs量子阱层及对应的GayAs1-yP势垒层组成。
4.一种根据权利要求1-3任意一项所述的半导体激光器外延片的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
1)以n-GaAs衬底作为基板；
2)在上述基板上采用金属有机化学气相沉积的方法(MOCVD)一次性沉积n-GaAs缓冲层，n-AlxGa1-xAs渐变层，n-AlxGa1-xAs下限制层，AlxGa1-xAs下波导层，有源层，AlxGa1-xAs上波导层，p-AlxGa1-xAs上限制层，p-AlxGa1-xAs渐变层，p-GaAs顶层。
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