[发明专利]具备载流子存储的平面栅IGBT器件

权利要求书

1.一种具备载流子存储的平面栅IGBT器件，包括具备第一导电类型的漂移区以及形成于漂移区正面的平面型元件单元，所述平面型元件单元包括第二导电类型基区以及位于所述第二导电类型基区下方的载流子存储层（10），载流子存储层（10）的导电类型与漂移区的导电类型相一致，且第二导电类型基区以及载流子存储层（10）均位于漂移区内的上部，其特征是：所述平面型元件单元还包括用于对载流子存储层（10）进行包裹的第二导电类型掩埋层，所述第二导电类型掩埋层在漂移区内邻接载流子存储层（10），且第二导电类型掩埋层仅包裹载流子存储层（10）拐角处至所述载流子存储层（10）的底部对应的区域；

在漂移区内的上部还设有体电极单元，所述体电极单元包括从漂移区正面垂直向下延伸的体电极（13），且体电极（13）的底部与第二导电类型掩埋层对应，体电极（13）通过体电极氧化层（12）与第二导电类型基区、载流子存储层（10）、第二导电类型掩埋层以及漂移区绝缘隔离。

2.根据权利要求1所述的具备载流子存储的平面栅IGBT器件，其特征是：所述第二导电类型基区内设有第一导电类型源区，所述第一导电类型源区的上方设有发射极金属层（8）以及栅电极（6），所述发射极金属层（8）与第一导电类型源区以及第二导电类型基区欧姆接触，栅电极（6）通过所述栅电极（6）下方的栅极氧化层（5）与第一导电类型源区、第二导电类型基区、载流子存储层（10）以及漂移区相接触。

3.根据权利要求1所述的具备载流子存储的平面栅IGBT器件，其特征是：所述体电极（13）为导电多晶硅。

4.根据权利要求1所述的具备载流子存储的平面栅IGBT器件，其特征是：在漂移区的背面设有背面结构单元，所述背面结构单元包括第一导电类型电场阻止层、第二导电类型集电区以及集电极金属层（1），所述第一导电类型电场阻止层位于漂移区的背面，第二导电类型集电区位于第一导电类型电场阻止层上，集电极金属层（1）与第二导电类型集电区欧姆接触。