[发明专利]一种双面显示基板及其制备方法和显示装置有效
申请号: | 201510583897.X | 申请日: | 2015-09-14 |
公开(公告)号: | CN105226068B | 公开(公告)日: | 2018-01-26 |
发明(设计)人: | 李坤 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 罗瑞芝,陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双面 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种双面显示基板,包括若干个设置在像素区域内的子像素单元,所述子像素单元包括用于正面显示的正面发光层、用于反面显示的反面发光层、像素电极层、公共电极层和驱动晶体管,所述正面发光层和所述反面发光层均分别夹设于与其对应的所述像素电极层和所述公共电极层之间,所述驱动晶体管用于控制所述正面发光层和所述反面发光层进行发光,其特征在于,所述反面发光层和/或所述正面发光层对应的所述公共电极层与所述驱动晶体管的栅电极层同层设置。
2.根据权利要求1所述的双面显示基板,其特征在于,所述子像素单元包括一个驱动晶体管,所述驱动晶体管用于对所述正面发光层和所述反面发光层进行共同控制;所述正面发光层和所述反面发光层共用同一所述像素电极层,所述公共电极层包括对应所述正面发光层的第一公共电极层和对应所述反面发光层的第二公共电极层;所述第二公共电极层与所述栅电极层同层设置,所述像素电极层与所述驱动晶体管连接。
3.根据权利要求2所述的双面显示基板,其特征在于,还包括衬底,所述驱动晶体管设置在所述衬底上,所述驱动晶体管的栅电极层位于其有源区的上方,所述栅电极层和所述有源区之间夹设有栅绝缘层;
所述栅电极层上设置有第一绝缘层,所述第一绝缘层在对应所述第二公共电极层的位置开设有第一开口区域,所述第一绝缘层上在对应所述第一开口区域的位置设置有所述反面发光层,所述反面发光层通过所述第一开口区域与所述第二公共电极层连接;
所述反面发光层上设置有所述像素电极层,所述像素电极层与所述反面发光层连接;所述第一绝缘层和所述栅绝缘层在对应所述驱动晶体管漏极的位置开设有第一过孔,所述像素电极层通过所述第一过孔与所述漏极连接;
所述像素电极层上设置有第二绝缘层,所述第二绝缘层在对应所述像素电极层的位置开设有第二开口区域,所述第二绝缘层上在对应所述第二开口区域的位置设置有所述正面发光层,所述正面发光层通过所述第二开口区域与所述像素电极层连接;
所述正面发光层上设置有所述第一公共电极层,所述第一公共电极层与所述正面发光层连接。
4.根据权利要求1所述的双面显示基板,其特征在于,所述子像素单元包括用于控制所述正面发光层发光的第一驱动晶体管和用于控制所述反面发光层发光的第二驱动晶体管,所述第一驱动晶体管和所述第二驱动晶体管共用同一所述栅电极层;所述像素电极层包括对应所述正面发光层的第一像素电极层和对应所述反面发光层的第二像素电极层,所述正面发光层和所述反面发光层共用同一所述公共电极层,所述公共电极层与所述栅电极层同层设置。
5.根据权利要求4所述的双面显示基板,其特征在于,在所述双面显示基板的垂直于其显示面的纵切面上,所述第一驱动晶体管和所述第二驱动晶体管的位置相对应,所述正面发光层、所述反面发光层、所述第一像素电极层、所述第二像素电极层和所述公共电极层的位置相对应;
所述正面发光层和所述第一像素电极层依次设置在所述公共电极层的远离所述反面发光层的一侧,所述反面发光层和所述第二像素电极层依次设置在所述公共电极层的远离所述正面发光层的一侧;所述正面发光层和所述反面发光层以所述公共电极层为轴对称,所述第一像素电极层和所述第二像素电极层以所述公共电极层为轴对称;且所述第一像素电极层、所述正面发光层、所述公共电极层、所述反面发光层和所述第二像素电极层相互接触并连接;
所述第一驱动晶体管的有源区以及分设在所述有源区远离所述栅电极层一侧的相对两端的源极和漏极与所述第二驱动晶体管的有源区以及分设在所述有源区远离所述栅电极层一侧的相对两端的源极和漏极以所述栅电极层为轴对称,所述第一驱动晶体管的有源区与所述栅电极层之间夹设有第一栅绝缘层,所述第二驱动晶体管的有源区与所述栅电极层之间夹设有第二栅绝缘层;
所述第一驱动晶体管的有源区远离所述栅电极层的一侧还设置有第三绝缘层,所述第三绝缘层在对应所述第一驱动晶体管的漏极的位置开设有第二过孔,所述第一像素电极层和所述第一驱动晶体管的漏极通过所述第二过孔连接;所述第二驱动晶体管的有源区远离所述栅电极层的一侧还设置有第四绝缘层,所述第四绝缘层在对应所述第二驱动晶体管的漏极的位置开设有第三过孔,所述第二像素电极和所述第二驱动晶体管的漏极通过所述第三过孔连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的