[发明专利]一种双面显示基板及其制备方法和显示装置有效

专利信息
申请号: 201510583897.X 申请日: 2015-09-14
公开(公告)号: CN105226068B 公开(公告)日: 2018-01-26
发明(设计)人: 李坤 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 代理人: 罗瑞芝,陈源
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 双面 显示 及其 制备 方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种双面显示基板,包括若干个设置在像素区域内的子像素单元,所述子像素单元包括用于正面显示的正面发光层、用于反面显示的反面发光层、像素电极层、公共电极层和驱动晶体管,所述正面发光层和所述反面发光层均分别夹设于与其对应的所述像素电极层和所述公共电极层之间,所述驱动晶体管用于控制所述正面发光层和所述反面发光层进行发光,其特征在于,所述反面发光层和/或所述正面发光层对应的所述公共电极层与所述驱动晶体管的栅电极层同层设置。

2.根据权利要求1所述的双面显示基板,其特征在于,所述子像素单元包括一个驱动晶体管,所述驱动晶体管用于对所述正面发光层和所述反面发光层进行共同控制;所述正面发光层和所述反面发光层共用同一所述像素电极层,所述公共电极层包括对应所述正面发光层的第一公共电极层和对应所述反面发光层的第二公共电极层;所述第二公共电极层与所述栅电极层同层设置,所述像素电极层与所述驱动晶体管连接。

3.根据权利要求2所述的双面显示基板,其特征在于,还包括衬底,所述驱动晶体管设置在所述衬底上,所述驱动晶体管的栅电极层位于其有源区的上方,所述栅电极层和所述有源区之间夹设有栅绝缘层;

所述栅电极层上设置有第一绝缘层,所述第一绝缘层在对应所述第二公共电极层的位置开设有第一开口区域,所述第一绝缘层上在对应所述第一开口区域的位置设置有所述反面发光层,所述反面发光层通过所述第一开口区域与所述第二公共电极层连接;

所述反面发光层上设置有所述像素电极层,所述像素电极层与所述反面发光层连接;所述第一绝缘层和所述栅绝缘层在对应所述驱动晶体管漏极的位置开设有第一过孔,所述像素电极层通过所述第一过孔与所述漏极连接;

所述像素电极层上设置有第二绝缘层,所述第二绝缘层在对应所述像素电极层的位置开设有第二开口区域,所述第二绝缘层上在对应所述第二开口区域的位置设置有所述正面发光层,所述正面发光层通过所述第二开口区域与所述像素电极层连接;

所述正面发光层上设置有所述第一公共电极层,所述第一公共电极层与所述正面发光层连接。

4.根据权利要求1所述的双面显示基板,其特征在于,所述子像素单元包括用于控制所述正面发光层发光的第一驱动晶体管和用于控制所述反面发光层发光的第二驱动晶体管,所述第一驱动晶体管和所述第二驱动晶体管共用同一所述栅电极层;所述像素电极层包括对应所述正面发光层的第一像素电极层和对应所述反面发光层的第二像素电极层,所述正面发光层和所述反面发光层共用同一所述公共电极层,所述公共电极层与所述栅电极层同层设置。

5.根据权利要求4所述的双面显示基板,其特征在于,在所述双面显示基板的垂直于其显示面的纵切面上,所述第一驱动晶体管和所述第二驱动晶体管的位置相对应,所述正面发光层、所述反面发光层、所述第一像素电极层、所述第二像素电极层和所述公共电极层的位置相对应;

所述正面发光层和所述第一像素电极层依次设置在所述公共电极层的远离所述反面发光层的一侧,所述反面发光层和所述第二像素电极层依次设置在所述公共电极层的远离所述正面发光层的一侧;所述正面发光层和所述反面发光层以所述公共电极层为轴对称,所述第一像素电极层和所述第二像素电极层以所述公共电极层为轴对称;且所述第一像素电极层、所述正面发光层、所述公共电极层、所述反面发光层和所述第二像素电极层相互接触并连接;

所述第一驱动晶体管的有源区以及分设在所述有源区远离所述栅电极层一侧的相对两端的源极和漏极与所述第二驱动晶体管的有源区以及分设在所述有源区远离所述栅电极层一侧的相对两端的源极和漏极以所述栅电极层为轴对称,所述第一驱动晶体管的有源区与所述栅电极层之间夹设有第一栅绝缘层,所述第二驱动晶体管的有源区与所述栅电极层之间夹设有第二栅绝缘层;

所述第一驱动晶体管的有源区远离所述栅电极层的一侧还设置有第三绝缘层,所述第三绝缘层在对应所述第一驱动晶体管的漏极的位置开设有第二过孔,所述第一像素电极层和所述第一驱动晶体管的漏极通过所述第二过孔连接;所述第二驱动晶体管的有源区远离所述栅电极层的一侧还设置有第四绝缘层,所述第四绝缘层在对应所述第二驱动晶体管的漏极的位置开设有第三过孔,所述第二像素电极和所述第二驱动晶体管的漏极通过所述第三过孔连接。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510583897.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top