[发明专利]变频器控制板及功率板低压供电系统有效
申请号: | 201510585050.5 | 申请日: | 2015-09-15 |
公开(公告)号: | CN105471224B | 公开(公告)日: | 2018-01-09 |
发明(设计)人: | 吴国良;盛康明 | 申请(专利权)人: | 苏州格远电气有限公司 |
主分类号: | H02M1/00 | 分类号: | H02M1/00;H02M1/08 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 215129 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 变频器 控制板 低压 供电 电路 功率 开关电源 | ||
1.一种变频器控制板及功率板低压供电系统,包括变频器控制板(1)及与其匹配的变频器功率板(2),其特征在于:还包括分别与所述变频器控制板(1)及变频器功率板(2)连接的24V电源(3),所述24V电源(3)通过供电电路(4)为所述变频器控制板(1)上的DSP芯片(5)提供1.8V和3.3V工作电压,以及为所述变频器功率板(2)上的IGBT驱动光耦(6)原边提供5V工作电压;
所述DSP芯片(5)与所述IGBT驱动光耦(6)连接,所述IGBT驱动光耦(6)与IGBT模块(7)连接,所述DSP芯片(5)通过控制所述IGBT驱动光耦(6)进而控制IGBT模块(7)的导通和关断;
所述24V电源(3)还通过控制板端子引入到所述变频器功率板(2)上的开关电源(8)并为其供电;所述24V电源(3)通过分压限流稳压电路连接到所述开关电源(8)的PWM芯片(U23),并为其供电;所述PWM芯片(U23)连接一MOSFET(Q1),所述MOSFET(Q1)连接到变压器,所述PWM芯片(U23)控制所述MOSFET(Q1)的开通和关断时间,从而控制所述变压器输出的脉冲电压;所述变压器副边分别连接所述IGBT模块(7)、运放器、比较器并为它们供电;
所述开关电源(8)输出IGBT驱动电源、运算放大器及比较器工作电压。
2.根据权利要求1所述的变频器控制板及功率板低压供电系统,其特征在于:所述供电电路(4)包括设置在所述变频器控制板(1)上的24V转5V模块电源(9),所述24V转5V模块电源(9)分别与所述IGBT驱动光耦(6)原边及一设置在所述变频器控制板(1)上的LDO(10)电连接,所述LDO(10)与所述DSP芯片(5)电连接。
3.根据权利要求2所述的变频器控制板及功率板低压供电系统,其特征在于:所述24V转5V模块电源(9)与所述变频器功率板(2)上的功能电路(11)连接,并为其提供5V工作电压。
4.根据权利要求1所述的变频器控制板及功率板低压供电系统,其特征在于:所述PWM芯片(U23)的RT/CT引脚连接有RC振荡频率调整电路,且所述PWM芯片(U23)的OUT引脚通过PWM调整电路连接MOSFET(Q1)的栅极,并发出PWM的频率及占空比控制所述MOSFET(Q1)的开通和关断;
所述MOSFET(Q1)的源极通过电流采样电路及RC吸收电路连接到所述PWM芯片(U23)的INSEN引脚进行峰值电流限制;
所述MOSFET(Q1)的漏极连接到所述变压器的原边绕组,所述变压器的副边绕组输出所述IGBT模块(7)、运放器及比较器的工作电压。
5.根据权利要求4所述的变频器控制板及功率板低压供电系统,其特征在于:所述MOSFET(Q1)的漏极还连接有吸收电路以对MOSFET(Q1)进行保护,所述吸收电路包括与所述MOSFET(Q1)漏极连接的第一吸收电阻(R196)以及与所述第一吸收电阻(R196)串联的第二吸收电阻(R198)和吸收电容(C2),所述吸收电容(C2)的输出端接地,还包括并联在所述MOSFET(Q1)的漏极和吸收电容(C2)之间的稳压管(D32)。
6.根据权利要求4所述的变频器控制板及功率板低压供电系统,其特征在于:所述变压器副边绕组输出三路-9V~+18V的IGBT模块驱动电压以及两路±15V的运放器、比较器工作电压。
7.根据权利要求6所述的变频器控制板及功率板低压供电系统,其特征在于:所述变压器副边绕组输出的±15V电压还为霍尔电流传感器元件提供工作电源。
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