[发明专利]基于石墨烯和II‑VI族半导体轴向p‑n结纳米线阵列的柔性光电子器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201510585315.1 | 申请日： | 2015-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN105304729B | 公开（公告）日： | 2017-08-22 |
| 发明（设计）人： | 张希威;孟丹 | 申请（专利权）人： | 安阳师范学院 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0296;H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/103;H01L31/18;H01L33/24;H01L33/28;H01L33/44;H01L33/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 455000 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 石墨 ii vi 半导体 轴向 纳米 阵列 柔性 光电子 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于石墨烯和II-VI族半导体轴向p-n结纳米线阵列的柔性光电子器件，其特征在于：包括一层柔性衬底(1)，所述柔性衬底(1)上设有石墨烯层(2)，所述石墨烯层(2)上设有由p-型II-VI族半导体纳米线部分(3)和n-型II-VI族半导体纳米线部分(4)组成的II-VI族半导体轴向p-n结纳米线的阵列结构，所述II-VI族半导体轴向p-n结纳米线阵列缝隙中设有PMMA(PolymethylMethacrylate，聚甲基丙烯酸甲酯)绝缘层(5)，所述n-型II-VI族半导体纳米线部分(4)阵列头部裸露在所述PMMA绝缘层(5)之外，所述PMMA绝缘层(5)之上设有铝电极(6)，所述石墨烯层(2)裸露一侧之上设有金/钛电极(7)。
2.根据权利要求1所述的光电子器件，其特征在于：所述柔性衬底(1)为PET(Polyethyleneterephthalate，聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PDMS(Polydimethylsiloxane，聚二甲基硅氧烷)、PEN(polyethylenenaphthalate，聚萘二甲酸乙二醇酯)或PI(Polyimide，聚酰亚胺)。
3.根据权利要求1所述的光电子器件，其特征在于：所述石墨烯层(2)为单层或数层石墨烯。
4.根据权利要求1所述的光电子器件，其特征在于：所述的p-型II-VI族半导体纳米线部分(3)为p-型ZnSe，ZnS，ZnTe，CdSe，CdS或CdTe纳米线，所述p-型II-VI族半导体纳米线部分(3)的直径为100-500nm，长度为5-10μm；所述的n-型II-VI族半导体纳米线部分(4)为n-型ZnSe，ZnS，ZnTe，CdSe，CdS或CdTe纳米线，所述的n-型II-VI族半导体纳米线部分(4)的直径为100-500nm，长度为5-10μm；所述的p-型II-VI族半导体纳米线部分(3)与所述的n-型II-VI族半导体纳米线部分(4)组成II-VI族半导体轴向p-n结纳米线。
5.根据权利要求1所述的光电子器件，其特征在于：所述铝电极(6)形状为正方形网格状，所述铝电极(6)厚度为100-200nm，宽度为3-5μm。
6.根据权利要求1所述的光电子器件，其特征在于：所述金/钛电极(7)中金层的厚度为100-200nm，钛层的厚度为5-10nm，金层在上，钛层在下。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
