[发明专利]太阳能电池正极栅线和太阳能电池及其制作方法有效
申请号: | 201510587099.4 | 申请日: | 2015-09-15 |
公开(公告)号: | CN106531818B | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
发明(设计)人: | 韦家亮;冷世伟;林宏业;连俊兰 | 申请(专利权)人: | 比亚迪股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司11283 | 代理人: | 严政,李婉婉 |
地址: | 518118 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 正极 及其 制作方法 | ||
1.一种太阳能电池正极栅线,所述太阳能电池正极栅线附着在太阳能电池硅片的正面,其特征在于,所述太阳能电池正极栅线包括与所述太阳能电池硅片的正面接触的钛层以及附着在所述钛层表面的非钛金属层,所述钛层为由含有含钛有机物的金属浆料进行光固化之后形成的涂层。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池正极栅线,其中,所述金属浆料为含钛有机物和溶剂与改性剂的混合物,所述改性剂为有机铜盐、有机镍盐和麦芽酚中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池正极栅线,其中,在所述金属浆料中,所述含钛有机物的含量与所述有机铜盐、有机镍盐和麦芽酚的总含量的重量比为0.2-1:1。
4.根据权利要求2所述的太阳能电池正极栅线,其中,所述含钛有机物为钛酸四异丙酯和/或钛酸四丁酯;所述有机铜盐为重铬酸铜、三氟甲磺酸铜和醋酸铜中的至少一种;所述有机镍盐为醋酸镍和/或乙酰丙酮镍;所述麦芽酚为甲基麦芽酚和/或乙基麦芽酚;所述溶剂为醇类溶剂和/或酯类溶剂。
5.根据权利要求1或2所述的太阳能电池正极栅线,其中,所述非钛金属层包括依次叠附在所述钛层上的镍层、铜层和锡层。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池正极栅线,其中,所述钛层的厚度为0.05-3微米,所述镍层的厚度为0.1-4微米,所述铜层的厚度为1-20微米,所述锡层的厚度为2-5微米。
7.一种制作太阳能电池正极栅线的方法,该方法包括以下步骤:
(1)往太阳能电池硅片的正面涂覆含有含钛有机物的金属浆料;
(2)将涂覆有所述金属浆料的太阳能电池硅片的表面需要形成正极栅线的区域进行光固化,使得该区域的金属浆料进行光固化反应;
(3)将经光固化的太阳能电池硅片用显影药水进行浸泡,使得未进行光固化的区域上的金属浆料溶解在所述显影药水中,以形成图案为正极栅线的钛层;
(4)将步骤(3)得到的产品进行高温烧结,然后在所述钛层的表面上依次进行表面活化和表面金属化。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,所述金属浆料为含钛有机物和溶剂与改性剂的混合物,所述改性剂为有机铜盐、有机镍盐和麦芽酚中至少一种。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,在所述金属浆料中,所述含钛有机物的含量与所述有机铜盐、有机镍盐和麦芽酚的总含量的重量比为0.2-1:1。
10.根据权利要求8所述的方法,其中,所述含钛有机物为钛酸四异丙酯和/或钛酸四丁酯;所述有机铜盐为重铬酸铜、三氟甲磺酸铜和醋酸铜中的至少一种;所述有机镍盐为醋酸镍和/或乙酰丙酮镍;所述溶剂为醇类溶剂和/或酯类溶剂。
11.根据权利要求7或8所述的方法,其中,所述光固化为紫外光固化或激光固化。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,当所述光固化为紫外光固化时,所述光固化的方式为:往涂覆有所述金属浆料的太阳能电池硅片的表面上遮盖掩膜,所述掩膜包括透光区域和不透光区域且所述透光区域的图案为正极栅线图案,然后进行紫外光固化,使得所述透光区域的金属浆料进行光固化反应。
13.根据权利要求12所述的方法,其中,所述光固化的条件包括紫外光能量为500-3000mj/cm2。
14.根据权利要求11所述的方法,其中,当所述光固化为激光固化时,所述光固化的方式为:往涂覆有所述金属浆料的太阳能电池硅片的表面需要形成正极栅线的区域采用激光进行照射,使得经激光照射区域上的金属浆料进行光固化反应。
15.根据权利要求14所述的方法,其中,所述光固化的条件包括激光能量为2000-3500mj/cm2。
16.根据权利要求7或8所述的方法,其中,所述显影药水含有四甲基氢氧化铵、氨基磺酸钠和柠檬酸铵。
17.根据权利要求16所述的方法,其中,所述显影药水中四甲基氢氧化铵、氨基磺酸钠和柠檬酸铵的重量比为1-3:1-2:1。
18.根据权利要求7或8所述的方法,其中,所述浸泡的条件包括:显影药水的温度为10-80℃,浸泡时间为10-240s。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的