[发明专利]薄膜晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201510587300.9 | 申请日： | 2015-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN105280716B | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 叶家宏 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 郭蔚 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：
在一基板上依序形成一半导体层、一金属层以及一辅助层；
在该金属层以及该辅助层位于该半导体层上方的情况下，对该半导体层进行一结晶程序，以形成一有源层；
于形成该有源层后，图案化该金属层，以形成一源极与一漏极；
形成一栅极；以及
形成一栅极绝缘层，其中该栅极绝缘层位于该栅极以及该源极与该漏极之间。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，于形成该辅助层之后，更包括对该辅助层或该金属层进行一去氢处理程序。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该辅助层包括非晶硅、多晶硅或单晶。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该结晶程序包括以准分子激光、红外飞秒激光或绿光激光进行结晶程序。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该金属层包括钼、铝、钨化钼或钨化铜。
6.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该结晶程序于摄氏0度至25度下进行。
7.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该半导体层包括含铟(In)的金属氧化物半导体材料、含锌(Zn)的金属氧化物半导体材料、或是含镓(Ga)的金属氧化物半导体材料。
8.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，更包括：移除该辅助层。
9.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该形成该栅极以及形成该栅极绝缘层的步骤是先于形成该半导体层、该金属层以及该辅助层的步骤。
10.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，形成该栅极以及形成该栅极绝缘层的步骤是后于形成该半导体层、该金属层以及该辅助层的步骤，且形成该栅极的步骤是后于形成该栅极绝缘层的步骤。
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