[发明专利]饱和蒸汽发生器的水位检测电路有效

专利信息
申请号: 201510587372.3 申请日: 2015-09-16
公开(公告)号: CN105203180A 公开(公告)日: 2015-12-30
发明(设计)人: 方金海 申请(专利权)人: 湖南中航精工有限公司
主分类号: G01F23/22 分类号: G01F23/22
代理公司: 南京天华专利代理有限责任公司 32218 代理人: 蒋真
地址: 415200 湖南省*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 饱和 蒸汽 发生器 水位 检测 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种水位检测电路,尤其一种饱和蒸汽发生器的水位检测电路。

背景技术

由于节省水资源,饱和蒸汽发生器广泛应用于清洗行业,而饱和蒸汽发生器中水位检测是补水控制非常重要的一个环节,对可靠性要求很高,现有饱和蒸汽发生器水位检测电路普遍存在易损耗,灵敏度低、可靠性差、检测探头电解腐蚀严重等问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种水位检测电路,尤其一种饱和蒸汽发生器的水位检测电路,可实现饱和蒸汽发生器的水位检测功能。

本发明的技术方案是:

一种饱和蒸汽发生器的水位检测电路,包括变压器,高水位探针,低水位探针,第一电容、第二电容,第一光电耦合器、第二光电耦合器,第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻,微处理器;变压器的输入端连接交流AC220V市电,变压器的输出的一端分别连接第二电阻和第四电阻,变压器的输出的另外一端连接饱和蒸汽发生器锅炉的外壳,同时连接至供电系统保护接地端;第二电阻与第一光电耦合器的一个输入端连接,第一光电耦合器的另一个输入端与高水位探针连接;第四电阻与第二光电耦合器的一个输入端连接,第二光电耦合器的另一个输入端与低水位探针连接;第一光电耦合器的输出端三极管集电极与第一电阻的一端连接,同时连接至第一电容的正极和微处理器的数字输入IO口,第一电阻的另外一端与微处理器的电源VDD端连接,第一电容的负极连接至微处理器的接地端;第二光电耦合器的输出端三极管集电极与第三电阻的一端连接,同时连接至第二电容的正极和微处理器的数字输入IO口,第三电阻的另外一端与微处理器的电源VDD端连接,第二电容的负极连接至微处理器的接地端。

所述第一光电耦合器和第二光电耦合器均采用双向输入型电耦合器光耦芯片。

所述第一光电耦合器和第二光电耦合器均为TLP626型电耦合器光耦芯片。

本发明的有益效果是:

本发明采用交流探测水位信号,避免了探针易受腐蚀,同时采用电耦合器光耦进行隔离,提高了水位检测电路的可靠性和抗干扰能力。

附图说明

图1是本发明电路原理图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步描述:

如图1,一种饱和蒸汽发生器的水位检测电路,包括变压器(T1),高水位探针P1,低水位探针P2,第一电容C1、第二电容C2,第一光电耦合器U1、第二光电耦合器U2,第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4,微处理器U3;变压器T1的输入端连接交流AC220V市电,变压器T1的输出的一端分别连接第二电阻R2和第四电阻R4,变压器T1的输出的另外一端连接饱和蒸汽发生器锅炉U4的外壳,同时连接至供电系统保护接地端;第二电阻R2与第一光电耦合器U1的一个输入端连接,第一光电耦合器U1的另一个输入端与高水位探针P1连接;第四电阻R4与第二光电耦合器U2的一个输入端连接,第二光电耦合器U2的另一个输入端与低水位探针P2连接;第一光电耦合器U1的输出端三极管集电极与第一电阻R1的一端连接,同时连接至第一电容C1的正极和微处理器U3的数字输入IO口,第一电阻R1的另外一端与微处理器U3的电源VDD端连接,第一电容C1的负极连接至微处理器U3的接地端;第二光电耦合器U2的输出端三极管集电极与第三电阻R3的一端连接,同时连接至第二电容C2的正极和微处理器U3的数字输入IO口,第三电阻R3的另外一端与微处理器U3的电源VDD端连接,第二电容C2的负极连接至微处理器的接地端。

所述第一光电耦合器U1和第二光电耦合器U2均采用双向输入型电耦合器光耦芯片。

所述第一光电耦合器U1和第二光电耦合器U2均为TLP626型电耦合器光耦芯片。

在具体实施中,变压器T1输入接220V市电交流输入,输出有效值为12V的交流电压,第四电阻R4、和第二电阻R2一般选择阻值为12KΩ,光电耦合器U1可选择芯片TLP620或TLP626,光电耦合器U2可选择芯片TLP620或TLP626,电压VDD对地电压为DC5V,第一电阻R1和第三电阻R3阻值一般选择为10KΩ,第一电容C1和第二电容C2选择10uF的铝电解电容,微处理器U3可选DC5V电压的单片机等。

上面所述的实施例仅仅是对本发明的优选实施方式进行描述,并非对本发明的构思和范围进行限定,在不脱离本发明设计构思前提下,本领域中普通工程技术人员对本发明的技术方案做出的各种变型和改进,均应落入本发明的保护范围,本发明请求保护的技术内容已经全部记载在权利要求书中。

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