[发明专利]电路布置和形成电路布置的方法

权利要求书

1.一种电路布置，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底包括：

第一表面；

与所述第一表面相对的第二表面；以及

从所述第一表面延伸到所述半导体衬底中的第一传导类型的第一掺杂的区域；

至少一个电容器，所述至少一个电容器包括：

从所述第二表面延伸到所述半导体衬底中的由所述第一传导类型的掺杂的区域组成的第一电极；

在所述第一电极之上形成的、从所述第二表面远离所述半导体衬底延伸的电介质层；以及

在所述电介质层之上形成的、与所述第一电极相对的第二电极；以及

被单片地集成在所述半导体衬底中的至少一个半导体器件；

其中所述第一传导类型的所述第一掺杂的区域从所述第一表面延伸到所述半导体衬底中以形成与所述第一电极的导电连接。

2.根据权利要求1所述的电路布置，其中所述第二电极包括第二传导类型的掺杂的区域。

3.根据权利要求1所述的电路布置，其中所述第二电极包括金属。

4.根据权利要求1所述的电路布置，其中所述第一传导类型的所述第一掺杂的区域被电连接到接地。

5.根据权利要求1所述的电路布置，其中所述第一传导类型是p型。

6.根据权利要求1所述的电路布置，其中所述掺杂的区域包括在10¹⁹cm^-3以上的掺杂剂原子的浓度。

7.根据权利要求1所述的电路布置，其中在所述第一传导类型的所述掺杂的区域中的所述掺杂剂原子包括硼。

8.根据权利要求1所述的电路布置，其中所述至少一个半导体器件是由以下各项组成的组中的一项：

晶体管；

二极管；以及

电容器。

9.根据权利要求1所述的电路布置，其中至少一个另一半导体器件是第二电容器，所述第二电容器包括：

第一电极，所述第一电极包括形成所述第二表面的至少部分的第二传导类型的掺杂的区域；

在所述第二电容器的所述第一电极之上形成的电介质；

在所述第二电容器的所述电介质之上形成的第二电极；以及

在所述第二表面之上形成并且电连接到所述第二电容器的所述第一电极的电接触。

10.一种形成电路布置的方法，包括：

在半导体衬底中形成从所述半导体衬底的第一表面延伸到所述半导体衬底的相对的第二表面的第一传导类型的掺杂的区域；

在所述第二表面上、在所述第一传导类型的所述掺杂的区域之上形成电介质层；

在所述电介质层之上形成传导性区域；

形成被单片地集成在所述半导体衬底中的至少一个半导体器件。

11.根据权利要求10所述的形成电路布置的方法，其中所述掺杂的区域、所述电介质层和所述传导性区域中的至少一个与所述半导体器件的一部分被形成在共同的工艺中。

12.根据权利要求10所述的形成电路布置的方法，其中所述第一传导类型的所述掺杂的区域的形成包括利用硼的掺杂。

13.根据权利要求10所述的形成电路布置的方法，其中所述掺杂的区域的形成包括离子注入。

14.根据权利要求10所述的形成电路布置的方法，其中所述传导性区域的形成包括形成第二掺杂的区域。

15.根据权利要求14所述的形成电路布置的方法，其中所述第二掺杂的区域可以是第二传导类型的。