[发明专利]可用作导电膜衬底的聚酰亚胺膜材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201510588046.4 申请日: 2015-09-16
公开(公告)号: CN105037727A 公开(公告)日: 2015-11-11
发明(设计)人: 胡知之;鲁云华;赵洪斌;房庆旭;董岩;迟海军;李晓;肖国勇;王永飞 申请(专利权)人: 苏州华辉材料科技有限公司
主分类号: C08G73/10 分类号: C08G73/10;C08L79/08;C08J5/18
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 夏海天
地址: 215000 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 用作 导电 衬底 聚酰亚胺 材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种可用作导电膜衬底的聚酰亚胺膜材料,其特征在于:所述聚酰亚胺具有如下化学结构式:

其中,n为大于15的整数。

2.根据权利要求1所述的聚酰亚胺膜材料,其特征在于:Ar选自:中的一种;Ar’选自:中的一种。

3.一种如权利要求1或2所述的聚酰亚胺膜材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

1)先将一种含氟苯醚型芳香族二胺溶解在一定量极性非质子溶剂中;

2)待所述含氟苯醚型芳香族二胺完全溶解后在搅拌下作用,加入等摩尔比的一种脂环族二酐,反应温度约为0~25℃,反应时间为15~25小时,得到具有一定固含量的均匀粘稠的聚酰胺酸溶液;

3)将上述聚酰胺酸溶液涂覆在洁净光滑的玻璃板上,采用热酰亚胺化方法在氮气保护环境下制得可用于柔性导电膜衬底的聚酰亚胺薄膜。

4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于:所述步骤2中脂环族二酐选自1,2,3,4-环丁烷四羧酸二酐,1,2,4,5-环戊烷四羧酸二酐,1,2,4,5-环己烷四羧酸二酐,双环[2.2.1]庚烷-2,3:5,6-四羧酸二酐,双环[2.2.2]辛烷-2,3:5,6-四羧酸二酐和1,2,3,4-环丁烷-对称(3,6-氧桥-1,2,3,6-四氢苯-1,2-二甲基甲酸酐)中的一种。

5.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于:所述步骤1中含氟苯醚型芳香族二胺选自:2,2-双[4-(4-氨基-2-三氟甲基苯氧基)苯基]六氟丙烷和4,4’-双(4-氨基-2-三氟甲基苯氧基)二苯醚中的一种。

6.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于:所述步骤1中极性非质子溶剂选自N,N-二甲基甲酰胺,N,N-二甲基乙酰胺和N-甲基-2-吡咯烷酮中的一种。

7.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于:所述脂环族二酐和含氟苯醚型芳香族二胺为等摩尔比进行反应。

8.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于:所述聚酰胺酸溶液的固含量为10~25%。

9.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于:所述酰亚胺化温度为200~350℃,酰亚胺化时间为0.1~1小时。

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