[发明专利]一种科尔皮兹振荡器有效
申请号: | 201510589669.3 | 申请日: | 2015-09-16 |
公开(公告)号: | CN105207620B | 公开(公告)日: | 2018-08-14 |
发明(设计)人: | 李文石;肖鹏;黄于城;宋佳佳 | 申请(专利权)人: | 苏州大学张家港工业技术研究院;苏州大学 |
主分类号: | H03B5/04 | 分类号: | H03B5/04;H03B5/06 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 常亮 |
地址: | 215699 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 科尔皮兹 振荡器 | ||
1.一种科尔皮兹振荡器,其特征在于,包括:
NMOS管、输入电压源、偏置电压源、电感L1、电感L2、电容C1和电容C2;
其中,所述NMOS管的栅极与所述输入电压源相连,漏极通过所述电感L2与所述输入电压源相连,衬底与所述偏置电压源相连,源极通过所述电感L1接地;
所述NMOS管的漏极与所述电感L2的公共端与所述电容C2的一端相连,所述电容C2的另一端串联所述电容C1,且所述电容C1与所述电感L1并联;所述偏置电压源的偏置电压为100mV~300mV,且所述偏置电压的起始成分为1~3个周期的起振引导信号,所述起振引导信号的周期为5as~5ns。
2.根据权利要求1所述科尔皮兹振荡器,其特征在于,所述电感L1的值为10mH,所述电感L2的值为0.1mH~1mH,所述电容C1的值为1pF,所述电容C2的值为10pF~600pF。
3.一种科尔皮兹振荡器,其特征在于,包括:
NMOS管、输入电压源、偏置电压源、电感L1、电感L2、电容C1和电容C2;
其中,所述NMOS管的衬底与所述输入电压源相连,漏极通过所述电感L2与所述输入电压源相连,栅极与所述偏置电压源相连,源极通过所述电感L1接地;
所述NMOS管的漏极与所述电感L2的公共端与所述电容C2的一端相连,所述电容C2的另一端串联所述电容C1,且所述电容C1与所述电感L1并联;所述偏置电压源的偏置电压为100mV~300mV,且所述偏置电压的起始成分为1~3个周期的起振引导信号,所述起振引导信号的周期为5as~5ns。
4.根据权利要求3所述的科尔皮兹振荡器,其特征在于,所述电感L1的值为10mH,所述电感L2的值为0.1mH~1mH,所述电容C1的值为1pF,所述电容C2的值为10pF~600pF。
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