[发明专利]电感耦合等离子处理装置有效
申请号: | 201510589966.8 | 申请日: | 2015-09-16 |
公开(公告)号: | CN105451426B | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 吴守镐 | 申请(专利权)人: | 圆益IPS股份有限公司 |
主分类号: | H05H1/46 | 分类号: | H05H1/46 |
代理公司: | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人: | 郑青松 |
地址: | 韩国京畿道平*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电感 耦合 等离子 处理 装置 | ||
本发明涉及电感耦合等离子处理装置,本发明公开一种感应场等离子处理装置,包括:腔室主体;电介质组装体,设置成覆盖所述长方形开口部,包括多个长方形电介质及支撑所述多个电介质的格子框架;基板支架,气体喷射部;天线部,在所述处理空间形成感应场,其中,所述格子框架,包括:最外廓框架,以所述长方形开口部为基准而形成最外廓;一个以上的内侧框架,位于所述最外廓框架的内侧,从所述最外廓框架的内侧到宽度方向及幅度方向的距离相同;所述天线部,包括:最外廓天线部件,被布置成从所述最外廓框架的内侧到宽度方向及幅度方向的距离相同;一个以上的内侧天线部件,被布置成从所述内侧框架的内侧及外侧到宽度方向及幅度方向的距离相同。
技术领域
本发明涉及电感耦合等离子处理装置。
背景技术
电感耦合等离子处理装置是执行蒸镀工序、蚀刻工序等基板处理的装置,在形成密闭处理空间的腔室主体与腔室主体的顶部设置电介质,在电介质的上侧设置高频(RF)天线,并向天线施加电源而在处理空间形成感应场,根据感应场而使处理气体等离子化,从而执行基板处理。
这时,关于所述电感耦合等离子处理装置的基板处理的对象,只要是需要蒸镀、蚀刻等基板处理的对象,任何基板皆可,如AMOLED基板、LCD面板用基板、半导体晶片等。
同时,随着对大型基板的需求增加,需处理更多数量的基板,为了响应因此而出现的增加生产速度的要求,执行基板处理的电感耦合等离子处理装置也呈现大型化的趋势。
并且,随着电感耦合等离子处理装置的大型化,所使用的电介质因其制造上的局限及便利而被分成多个,且通过框架部件而支撑被分割的多个电介质。
但是,根据以往的电感耦合等离子处理装置,多个电介质被金属材质的框架部件支撑,设置在上部的天线因其与框架部件的相互作用所导致的涡电流(Eddy current)等,对处理空间内形成的感应场产生直接的影响,电场根据天线的位置而变得不均匀,难以实现均匀的基板处理。
尤其,根据以往的电感耦合等离子处理装置,因多个电介质的大小相同,设置在其上部的天线部件与相邻的天线部件之间的间隔因设置位置而变得不同,从而导致电场不均匀,难以实现均匀的基板处理。
发明内容
(要解决的技术问题)
本发明的目的在于,为了解决如所述的问题点,提供一种感应场等离子处理装置,将天线部件适当地布置到被长方形格子框架支撑的多个电介质上,从而在处理空间形成均匀的磁场。
(解决问题的手段)
本发明为了达成如所述的本发明的目的而提出,本发明公开一种感应场等离子处理装置,包括:腔室主体,其上侧形成具有不同的幅度及宽度的长方形开口部;电介质组装体,设置成覆盖所述长方形开口部,包括多个长方形电介质及支撑所述多个电介质的格子框架;基板支架,设置在所述腔室主体而支撑基板;气体喷射部,向所述处理空间喷射气体;天线部,设置在所述电介质组装体的上部,在所述处理空间形成感应场,其中,所述格子框架,包括:最外廓框架,以所述长方形开口部为基准而形成最外廓;一个以上的内侧框架,位于所述最外廓框架的内侧,从所述最外廓框架的内侧到宽度方向及幅度方向的距离相同;所述天线部,包括:最外廓天线部件,被布置成从所述最外廓框架的内侧到宽度方向及幅度方向的距离相同;一个以上的内侧天线部件,被布置成从所述内侧框架的内侧及外侧到宽度方向及幅度方向的距离相同。
所述内侧天线部件,被布置成从所述内侧框架的内侧及外侧中的一侧到宽度方向及幅度方向的距离相同。
所述最外廓天线部件及所述内侧天线部件,被布置成平面上天线部件所占区域的中心线之间的宽度方向及幅度方向的距离相同。
所述最外廓天线部件及所述内侧天线部件,被布置成平面上天线部件所占区域中最近的多个边缘处之间的宽度方向及幅度方向的距离相同。
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