[发明专利]分段式劈裂刀装置有效
申请号: | 201510590848.9 | 申请日: | 2015-09-14 |
公开(公告)号: | CN105280529B | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
发明(设计)人: | 段中红;韩晓翠;曹喜平;康建;梁旭东 | 申请(专利权)人: | 圆融光电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 宋扬;黄健 |
地址: | 243000 安徽省马鞍*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 劈裂 刀装置 分段式 控制器 发光二极管芯片 控制器连接 裂片过程 条水平线 晶粒 崩边 制作 | ||
本发明提供一种分段式劈裂刀装置,包括:至少两把劈裂刀、至少两个控制器;控制器与劈裂刀一一对应,每一把劈裂刀与每一个控制器连接;每一把劈裂刀的中心在一条水平线上。本发明提供的分段式劈裂刀装置,能够降低裂片过程中晶粒出现双胞或崩边等问题,提高发光二极管芯片的制作质量。
技术领域
本发明涉及发光二极管制造领域,尤其涉及一种分段式劈裂刀装置。
背景技术
在发光二极管(Light Emitting Diode,简称LED)芯片的制作流程中,裂片工艺是关系到成品最终良率的关键一步,其中,裂片工艺指的是依靠裂片机将整片芯片晶圆(Chipe On Wafer,简称COW)圆片劈裂分割成独立个体的晶粒,相连晶粒之间彼此分开从而形成芯粒。
一般来说,在裂片过程中,裂片机中劈裂刀的劈裂深度决定是否能将整片COW圆片的晶粒劈裂分开。目前,裂片机中劈裂刀在劈裂整片COW圆片时,根据COW圆片的厚度来设置劈裂刀的劈裂深度和速度,使用一把劈裂刀进行裂片,然而,这样在劈裂过程中,COW圆片的每个区域受力大小都是相同的,COW圆片中晶粒厚度与预设厚度相同的晶粒被分开,而厚度误差较大如比预设厚度低10微米(um)的晶粒则连在一起形成双胞,如果加大劈裂深度进行补劈,会使水平方向上整行晶粒受到的压力都增大,会产生更多的崩边、崩角、裂伤发光区的现象;厚度比预设厚度高10um以上的则会出现大面积崩边、崩角的不良品。
因此,采用目前的劈裂刀在劈裂整片COW圆片时,由于COW圆片区域性厚度不一致,在裂片过程中出现双胞或崩边等问题,造成出现双胞或崩边等不良产品,降低了发光二极管芯片的制作质量。
发明内容
本发明提供一种分段式劈裂刀装置,能够降低裂片过程中晶粒出现双胞或崩边等问题,提高发光二极管芯片的制作质量。
本发明提供的分段式劈裂刀装置,包括:至少两把劈裂刀、至少两个控制器;
控制器与劈裂刀一一对应,每一把劈裂刀与每一个控制器连接;
每一把劈裂刀的中心在一条水平线上。
本发明提供的分段式劈裂刀装置,由至少两把劈裂刀组成,每把劈裂刀的参数由单独的控制器根据待劈裂圆片的厚度分区域设定,使在劈裂过程中待劈裂圆片厚度不同的区域受力大小不同,提高劈裂刀装置裂片的精准度,从而降低裂片过程中晶粒出现双胞或崩边等问题,可以使劈裂的产品良率提高5%-10%左右,从而提高发光二极管芯片的制作质量。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例一提供的分段式劈裂刀装置结构示意图;
图2为本发明实施例二提供的分段式劈裂刀装置结构示意图;
图3为本发明实施例一提供的COW圆片坐标系建立示意图。
附图标记说明:
1:劈裂刀;
2:螺丝;
3:固定板;
4:击锤。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造