[发明专利]盖板及其制作方法、显示装置及其制作方法

权利要求书

1.一种盖板的制作方法，其特征在于，包括：在盖板基底形成触控电极图形和钝化层图形；其中，在触控区域，所述触控电极图形在所述盖板基底上的投影和所述钝化层图形在盖板基底上的投影重合，所述钝化层图形的材料为氮化硅或二氧化硅；

在压接区域所述触控电极图形延伸到所述钝化层图形之外；

所述在盖板基底形成触控电极图形和钝化层图形包括：

在盖板基底的出光面上形成触控电极材料层和钝化材料层；

在所述钝化材料层上形成光刻胶层；

对光刻胶层进行图案化工艺得到光刻胶完全去除区域、对应于触控区域的触控电极图形的光刻胶完全保留区域和对应于压接区域的触控电极图形的光刻胶半保留区域；

以图案化工艺后得到的光刻胶层作为掩膜对钝化材料层和触控电极材料层进行刻蚀得到对应于光刻胶半保留区域和光刻胶完全保留区域的初始钝化层图形和触控电极图形；

对图案化工艺后得到的光刻胶层进行干法刻蚀，去除光刻胶半保留区域的光刻胶；

以干法刻蚀后的光刻胶层作为掩膜对初始钝化层图形进行刻蚀，去除压接区域的钝化材料层得到钝化层图形。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对光刻胶层进行图案化工艺得到光刻胶完全去除区域、对应于触控区域的触控电极图形的光刻胶完全保留区域和对应于压接区域的触控电极图形的光刻胶半保留区域，包括：

采用半曝光工艺对光刻胶层进行曝光显影得到光刻胶完全去除区域、对应于触控区域的触控电极图形的光刻胶完全保留区域和对应于压接区域的触控电极图形的光刻胶半保留区域。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述以图案化工艺后得到的光刻胶层作为掩膜对钝化材料层进行刻蚀得到对应于光刻胶半保留区域和光刻胶完全保留区域的初始钝化层图形和触控电极图形包括：

以图案化工艺后得到的光刻胶层作为掩膜，对钝化材料层进行干法刻蚀得到对应于光刻胶半保留区域和光刻胶完全保留区域的初始钝化层图形，之后对触控电极材料层进行湿法刻蚀得到对应于光刻胶半保留区域和光刻胶完全保留区域的触控电极图形。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：在盖板基底的入光面上形成彩色滤光层。

5.一种显示装置的制作方法，其特征在于，包括：将盖板基底与阵列基板进行封装的步骤和在封装之后，按照如权利要求1-4任一项所述的方法制作盖板的步骤。