[发明专利]晶片的加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种晶片的加工方法，该晶片的加工方法是沿着分割预定线将晶片分割成一个个器件并在各器件的背面安装芯片粘接用的粘接膜的方法，所述晶片在由呈格子状形成于正面的多条分割预定线划分出的多个区域内分别形成有器件。

背景技术

例如，在半导体器件制造工艺中，使IC、LSI等器件形成在由呈格子状形成于大致圆板形状的半导体晶片的正面的多条分割预定线划分出的多个区域内。在像这样于正面形成有器件的半导体晶片的背面，安装有由聚酰亚胺类树脂、环氧类树脂、丙烯酸类树脂等形成的厚度为5～150μm的被称作粘片膜(DAF)的芯片粘接用的粘接膜，通过沿着分割预定线将晶片和粘接膜一起切断而将晶片分割成一个个器件(例如，参照专利文献1)。

在上述的半导体晶片的分割中，一般使用切削装置，该切削装置利用具有厚度为20～30μm左右的切削刃的切削刀具，沿着分割预定线对半导体晶片和粘接膜一起进行切削。为了利用切削装置沿着分割预定线对半导体晶片和粘接膜一起进行切削，以将粘接膜侧粘贴在安装于环状框架的切割带的表面上的状态，将晶片保持在卡盘工作台上，通过切削刀具沿着分割预定线对晶片和粘接膜一起进行切削，但是，有时切削刀具的切削刃因为粘接膜的弹性而产生抖动。如果切削刀具的切削刃抖动，则会在被分割成一个个的器件的侧面上产生缺口，从而存在器件的抗弯强度及质量下降的问题。

为了解决上述的问题，通过将切削刀具定位在使切削刀具的切削刃的外周缘稍微切入切割带的基材的位置，由此将切削刃支承于切割带。

专利文献1：日本特开2009-28810号公报

然而，如果将将切削刀具定位在使切削刀具的切削刃的外周缘稍微切入切割带的位置来进行切削，则存在如下问题：由于切割带的基材被切削，因此基材的毛刺附着在粘接膜上，在将器件粘接在配线基板上时，基材的毛刺成为引起断线的原因。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的，其主要的技术课题在于提供一种晶片的加工方法，其中，在将安装于晶片背面的芯片粘接用的粘接膜侧粘贴在切割带的正面的状态下，利用切削刀具沿着分割预定线对粘接膜和晶片一起进行切削时，切削刀具的切削刃不会发生抖动，并且不产生切割带的基材的毛刺。

为了解决上述的主要技术课题，根据本发明，提供一种晶片的加工方法，其是沿着分割预定线将晶片分割成一个个器件并在各器件的背面安装芯片粘接用的粘接膜的加工方法，在所述晶片的正面上呈格子状形成有多条所述分割预定线，并且在由该多条分割预定线划分出的多个区域内分别形成有所述器件，其特征在于，所述晶片的加工方法包含：晶片支承工序，将粘接膜安装于晶片的背面，并将粘接膜侧粘贴于切割带的粘接层上，所述切割带是在带基材上铺设所述粘接层而成的，所述粘接层通过照射紫外线而硬化；紫外线照射工序，对该切割带照射紫外线而使该粘接层硬化；以及切削工序，使在外周具有切削刃的切削刀具旋转，沿着分割预定线将晶片和粘接膜一起切断，由此分割成一个个器件，在该切削工序中，使切削刀具的切削刃切入到硬化后的粘接层中。

根据本发明的晶片的加工方法，由于在切削工序中使切削刀具的切削刃切入到硬化后的粘接层中，因此切削刀具的切削刃被硬化的粘接层支承，抖动被抑制，因此不会在器件上产生缺口。

并且，在切削工序中，由于切削刀具的环状的切削刃切入到硬化后的粘接层中且未到达带基材，因此没有切削带基材，从而不会产生毛刺，能够防止引起断线这样的问题于未然。

附图说明

图1是半导体晶片的立体图。

图2是示出晶片支承工序的第一实施方式的说明图。

图3是示出晶片支承工序的第二实施方式的说明图。

图4是示出紫外线照射工序的说明图。

图5是用于实施切削工序的切削装置的主要部分的立体图。

图6是示出切削工序的说明图。

图7是分割半导体晶片所得到的器件的立体图。

标号说明

2：半导体晶片；21：分割预定线；22：器件；23：切削槽；3：粘接膜；4：环状框架；5：切割带；51：带基材；52：粘接层；6：紫外线照射器；7：切削装置；71：切削装置的卡盘工作台；72：切削构件；723：切削刀具；725：环状的切削刃。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的晶片的加工方法的优选实施方式详细地进行说明。