[发明专利]不平坦粒子层制备方法、有机电致发光器件和显示装置有效
申请号: | 201510596057.7 | 申请日: | 2015-09-17 |
公开(公告)号: | CN105118934B | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
发明(设计)人: | 郭远辉;臧远生;刘智;李小和;王辉 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 柴亮,张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 平坦 粒子 制备 方法 有机 电致发光 器件 显示装置 | ||
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种不平坦粒子层的制备方法、有机电致发光器件和显示装置。
背景技术
OLED(OrganicLightEmittingDiode,有机电致发光)器件由于同时具备自发光,不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程简单等优异特性,被认为是下一代平面显示装置的新兴技术。
现有的OLED器件的结构示意图如图1、图2所示,包括阴极、有机发光层、阳极和玻璃基底几个部分。
发明人发现现有技术中至少存在如下问题:有机发光层发出的光子射到空气层时,在入射介质(图1入射介质为玻璃基底,图2入射介质为半透明阴极)与空气的交界面发生反射和折射,入射角和折射角满足关系式n1·sinθ1=n2·sinθ2,其中,n1为入射介质的折射率,n2为空气折射率,当入射角大于或等于临界角时,发生全反射,光线将不能出射到空气中,在图1、图2中,光线a,b经过折射后射出到了空气中,而光线c,d由于入射角等于或大于临界角,在交界面发生全反射而不能逸出玻璃基底表面,即存在一定角度的“逸出锥”,降低了OLED器件的取光效率。
发明内容
本发明针对现有的OLED器件取光效率低的问题,提供一种不平坦粒子层的制备方法、有机电致发光器件和显示装置。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是:
一种不平坦粒子层的制备方法,包括以下步骤:
在基底上形成纳米粒子层;
加热基底,以使和基底接触的纳米粒子熔融,而表面的纳米粒子为固态;
冷却上述基底,形成表面不平坦的纳米粒子层。
优选的,所述在基底上形成纳米粒子层是将纳米粒子混合液涂覆到基底上,所述纳米粒子混合液包括纳米粒子、该纳米粒子的溶剂及分散剂。
优选的,所述加热基底是在基底没有形成纳米粒子层的一侧进行的。
优选的,所述纳米粒子层为透明聚合物材料。
优选的,所述透明聚合物材料包括聚苯乙烯和/或聚甲基丙烯酸酯。
优选的,所述透明聚合物材料的玻璃化转变温度为T1,所述加热温度为T1~T1+50℃。
优选的,所述加热时间为1~20min。
优选的,所述纳米粒子的形状为球形。
优选的,所述纳米粒子的粒径为400~700nm。
优选的,所述不平坦粒子层的厚度小于1000nm。
优选的,在涂覆上述纳米粒子的混合液之前的基底上设有电极。
本发明还提供一种有机电致发光器件,包括基底、阳极、有机发光层以及阴极;所述基底为上述的方法制备的包括不平坦粒子层的基底。
本发明还提供一种显示装置,包括上述的有机电致发光器件。
本发明的不平坦粒子层的制备方法只需增加涂覆和加热步骤,方法简单,易于工业生产,该方法制备的不平坦粒子层表面不平坦的程度均匀,周期性良好。包括该不平坦粒子层的基底用于OLED器件,器件性能稳定,且可以改变OLED器件的有机发光层的光线的传播方向,避免在交界面形成内全反射,使更多的光出射到空气中,提高OLED器件取光效率、提升OLED器件亮度及可视角。本发明的方法制备的有机电致发光器适用于各种显示装置。
附图说明
图1为现有的OLED器件的结构示意图;
图2为另一种现有的OLED器件的结构示意图;
图3本发明的实施例2的不平坦粒子层的制备方法示意图;
图4本发明的实施例3的OLED器件的结构示意图;
图5本发明的实施例3的OLED器件的发光示意图;
其中,附图标记为:1、阴极;2、有机发光层;3、阳极;4、基底;5、不平坦粒子层。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
实施例1:
本实施例提供一种不平坦粒子层的制备方法,包括以下步骤:
在基底上形成纳米粒子层;
加热基底,以使和基底接触的纳米粒子熔融,而表面的纳米粒子为固态;
冷却上述基底,形成表面不平坦的纳米粒子层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择