[发明专利]一种异质结太阳能电池及其制备方法、表面钝化方法

权利要求书

1.一种异质结太阳能电池的表面钝化方法，其特征在于，包括：

在晶体硅片第一侧表面上沉积第一本征层I层，对所述第一本征层I层进行退火处理；

在经过退火处理的第一本征层I层表面上沉积掺杂层P层；

其中，对所述第一本征层I层进行退火处理，包括：

在晶体硅片第一侧表面第一本征层I层形成和晶体硅片第二侧表面第二本征层I层形成之间进行退火；或者

在晶体硅片第一侧表面第一本征层I层形成和晶体硅片第二侧表面第二本征层I层形成之后、掺杂层P层形成之前进行退火；

所述晶体硅片第一侧表面与第二侧表面相对；

其中，对所述第一本征层I层进行退火处理的温度大于或等于150℃且小于或等于300℃。

2.根据权利要求1所述的表面钝化方法，其特征在于，在对所述第一本征层I层进行退火处理，包括在晶体硅片第一侧表面第一本征层I层形成和晶体硅片第二侧表面第二本征层I层形成、且掺杂层N层形成之后进行退火的条件下，在晶体硅片第一侧表面上沉积第一本征层I层之前，该方法还包括：

在所述晶体硅片第二侧表面上沉积第二本征层I层；

在所述第二本征层I层上沉积掺杂层N层。

3.根据权利要求1所述的表面钝化方法，其特征在于，在对所述第一本征层I层进行退火处理，包括在晶体硅片第一侧表面第一本征层I层形成和晶体硅片第二侧表面第二本征层I层形成之间进行退火的条件下，在对所述第一本征层I层进行退火处理之后，在经过退火处理的第一本征层I层表面上沉积掺杂层P层之前，该方法还包括：

在所述晶体硅片第二侧表面上沉积第二本征层I层；

在所述第二本征层I层上沉积掺杂层N层。

4.根据权利要求1所述的表面钝化方法，其特征在于，在对所述第一本征层I层进行退火处理，包括在晶体硅片第一侧表面第一本征层I层形成和晶体硅片第二侧表面第二本征层I层形成、且掺杂层N层形成之后进行退火的条件下，在晶体硅片第一侧表面上沉积第一本征层I层之后，对所述第一本征层I层进行退火处理之前，该方法还包括：

在所述晶体硅片第二侧表面上沉积第二本征层I层；

在所述第二本征层I层上沉积掺杂层N层。

5.根据权利要求1所述的表面钝化方法，其特征在于，在对所述第一本征层I层进行退火处理，包括在晶体硅片第一侧表面第一本征层I层形成和晶体硅片第二侧表面第二本征层I层形成之后、掺杂层P层形成之前进行退火的条件下，在所述晶体硅片第一侧表面上沉积第一本征层I层之前，该方法还包括：

在所述晶体硅片第二侧表面上沉积第二本征层I层；

在经过退火处理的第一本征层I层表面上沉积掺杂层P层之后，该方法还包括：在所述第二本征层I层上沉积掺杂层N层。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的表面钝化方法，其特征在于，对所述第一本征层I层进行退火处理的温度大于或等于180℃且小于或等于220℃。

7.根据权利要求1-5中任一项所述的表面钝化方法，其特征在于，对所述第一本征层I层进行退火处理的时间大于或等于15分钟且小于或等于60分钟。

8.根据权利要求7所述的表面钝化方法，其特征在于，对所述第一本征层I层进行退火处理的时间大于或等于20分钟且小于或等于40分钟。

9.根据权利要求8所述的表面钝化方法，其特征在于，对所述第一本征层I层进行退火处理，包括：在真空条件或者惰性气体条件或者大气条件下对所述第一本征层I层进行退火处理。

10.一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：采用如权利要求1-9中任一项所述的表面钝化方法对异质结太阳能电池中的第一本征层I层进行退火处理，并在进行退火处理之后的第一本征层I层表面上沉积掺杂层P层。

11.一种异质结太阳能电池，其特征在于，所述异质结太阳能电池采用如权利要求10所述的制备方法制备而成。