[发明专利]一种用于闪烁探测的导模共振移波器件有效

专利信息
申请号: 201510598647.3 申请日: 2015-09-18
公开(公告)号: CN105204191B 公开(公告)日: 2018-04-03
发明(设计)人: 刘波;程传伟;顾牡;陈鸿;黄世明;刘小林 申请(专利权)人: 同济大学
主分类号: G02F1/01 分类号: G02F1/01;G02F1/00
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司31225 代理人: 陈亮
地址: 200092 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 闪烁 探测 共振 器件
【权利要求书】:

1.一种用于闪烁探测的导模共振移波器件,包括基底层和基底层上面布置的发光薄膜层,其特征在于,还包括布置在发光薄膜层上面的光子晶体层,所述的光子晶体层由排列呈周期阵列的介质柱构成,介质柱垂直布置于发光薄膜层上表面,介质柱的材料对发光薄膜层发射的光透明;

所述的介质柱排列呈三角构型的周期阵列,该周期阵列的周期的取值范围为350-430nm,所述的介质柱的直径为周期阵列的周期的0.45~0.55倍,介质柱的高度为发光薄膜层主发光峰对应的真空中的中心波长的0.4~0.6倍;

所述的发光薄膜层的厚度介于与之间;其中,λ为发光薄膜层的主发光峰对应的真空中的中心波长,n1为发光薄膜层的折射率,n2为基底层的折射率;所述的发光薄膜层为(Lu0.9Ce0.1)2SiO5,主发光峰对应的真空中的中心波长为420nm。

2.根据权利要求1所述的一种用于闪烁探测的导模共振移波器件,其特征在于,所述的介质柱的直径为三角构型的周期阵列的周期的0.5倍,介质柱的高度为210-250nm。

3.根据权利要求1或2所述的一种用于闪烁探测的导模共振移波器件,其特征在于,所述的介质柱的材料包括SiN、GaN、TiO2、ZnO、Ta2O5或Al2O3

4.根据权利要求1所述的一种用于闪烁探测的导模共振移波器件,其特征在于,所述的发光薄膜层的折射率大于基底层的折射率。

5.根据权利要求1所述的一种用于闪烁探测的导模共振移波器件,其特征在于,所述的基底层为对真空紫外光透明的材料,包括石英玻璃、LiF晶体、CaF2晶体、MgF2晶体或BaF2晶体。

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