[发明专利]发光元件在审
| 申请号： | 201510598671.7 | 申请日： | 2011-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN105118903A | 公开（公告）日： | 2015-12-02 |
| 发明（设计）人： | 马少崑;郭宗泰;赖韩棕;李宜青;金明达 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 元件 | ||
1.一发光元件，包含：
第一布拉格反射结构，该第一布拉格反射结构由多个第一半导体层与多个第二半导体层交互堆叠所形成；
第二布拉格反射结构位于该第一布拉格反射结构之上，其中该第二布拉格反射结构由多个第三半导体层与多个第四半导体层交互堆叠所形成；及
发光结构位于该第二布拉格反射结构之上；
其中该第二布拉格反射结构的组成材料和该第一布拉格反射结构的组成材料不同。
2.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一布拉格反射结构与该第二布拉格反射结构各包含一氧化区域。
3.如权利要求2所述的发光元件，其中该氧化区域位于该发光元件的外缘区域。
4.如权利要求2所述的发光元件，其中该氧化区域为一绝缘层。
5.如权利要求2所述的发光元件，其中该氧化区域包含氧化铝(AlxOy)。
6.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一布拉格反射结构与该第二布拉格反射结构位于该发光结构的同一侧。
7.如权利要求1所述的发光元件，其中该多个第一半导体层各包含一高铝含量化合物层以及一环绕该高铝含量化合物层的氧化层，该多个第三半导体层各包含一高铝含量化合物层以及一环绕该高铝含量化合物层的氧化层。
8.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一布拉格反射结构的第一半导体层/第二半导体层由高铝含量砷化铝镓(AlGaAs)/低铝含量磷化铝镓铟(AlGaInP)，高铝含量砷化铝镓(AlGaAs)/低铝含量砷化铝镓(AlGaAs)，高铝含量磷化铝铟(AlInP)/低铝含量磷化铝镓铟(AlGaInP)，高铝含量砷化铝(AlAs)/低铝含量磷化铝镓铟(AlGaInP)，或高铝含量砷化铝(AlAs)/低铝含量砷化铝镓(AlGaAs)交互堆叠所组成，及/或该第二布拉格反射结构的第三半导体层/第四半导体层依序由高铝含量砷化铝镓(AlGaAs)/低铝含量磷化铝镓铟(AlGaInP)，高铝含量砷化铝镓(AlGaAs)/低铝含量砷化铝镓(AlGaAs)，高铝含量磷化铝铟(AlInP)/低铝含量磷化铝镓铟(AlGaInP)，高铝含量砷化铝(AlAs)/低铝含量磷化铝镓铟(AlGaInP)，或高铝含量砷化铝(AlAs)/低铝含量砷化铝镓(AlGaAs)交互堆叠所组成。
9.如权利要求8所述的发光元件，其中高铝含量化合物中的铝含量大于0.6。
10.如权利要求1所述的发光元件，还包含一基板，其中该第一布拉格反射结构及该第二布拉格反射结构位于该基板及该发光结构之间。
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