[发明专利]一种定长数据在FLASH的存储方法

说明书

本发明公开了一种定长数据在FLASH的存储方法，该方法包括：预先给需要保存的数据结构分配总存储空间，并在总存储空间中对数据结构中的每个定长子数据结构分配互不重叠的子存储空间；获取定长子数据结构的特征信息，包括定长子数据结构在内存中的起始地址和数据长度；初始化定长子数据结构存储参数，包括定长子数据结构存储起始地址、占用扇区数、当前数据扇区序号、地址偏移下标索引值以及校验值；定义定长子数据结构在存储空间的存储规则；根据定长子数据结构的特征信息、定长子数据结构存储参数以及存储规则，将定长子数据结构存储至子存储空间中。采用本技术方案，方便有效的提高了FLASH存储寿命，减少FLASH碎片。

技术领域

本发明涉及数据存储技术领域，尤其涉及一种定长数据在FLASH的存储方法。

背景技术

对于嵌入式设备而言，闪存是很常见的一种存储媒介，闪存的英文名称是FLASHMEMORY，一般简称为FLASH，它属于内存器件的一种，是一种不挥发性闪存。闪存在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携数字设备的存储介质的基础。

非易失性存储器FLASH的擦写次数是有限的，通常NAND FLASH中每个扇区的最大擦写次数是一百万次，而NOR FLASH的擦写次数是十万次，而且只能整个扇区擦除，如果某个扇区擦写次数超过寿命次数，容易导致出现坏块或者整块FLASH报废。所谓坏块并不是整个扇区都坏了，可能只是扇区中一位或某几位损坏。在嵌入式电子产品中，往往需要将系统关键数据进行实时保存到FLASH中，以确保突然断电等异常发生时保存的数据仍实时有效。

在数据存储设计时需要考虑FLASH的损耗平衡，即要考虑FLASH所有扇区都能均匀被使用，而不是有的扇区一直被读写，有的扇区则空闲着，有效延长FLASH的寿命。目前的FLASH均衡算法基本都采取地址映射扇区擦写标记或依靠文件系统的均衡算法等方式来达到地址均衡擦写的目的，涵盖面太广，对于程序、数据等存储均适用，虽然提高了使用寿命，但这样往往会造成效率低下、存储器碎片增加，利用率低等问题。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种定长数据在FLASH的存储方法，以解决现有技术中的技术问题。

本发明实施例提供了一种定长数据在FLASH的存储方法，包括：

预先给需要保存的数据结构分配总存储空间，并在所述总存储空间中对所述数据结构中的每个定长子数据结构分配互不重叠的子存储空间；

获取所述定长子数据结构的特征信息，所述特征信息包括所述定长子数据结构在内存中的起始地址和数据长度；

初始化所述定长子数据结构存储参数，所述存储参数包括所述定长子数据结构存储起始地址、占用扇区数、当前数据扇区序号、地址偏移下标索引值以及校验值；

定义所述定长子数据结构在存储空间的存储规则；

根据所述定长子数据结构的特征信息、所述定长子数据结构存储参数以及所述存储规则，将所述定长子数据结构存储至所述子存储空间中。

本发明实施例提供的一种定长数据在FLASH的存储方法，通过预先给定长数据结构分配互不重叠的存储空间，然后获取所述定长数据结构的特征信息，初始化所述定长子数据结构存储参数，按照定义的存储规则将所述定长数据结构存储至预先分配好的存储空间中。方便有效地提高了FLASH的存储寿命，减少FLASH碎片，在突然断电的情况下能恢复最后一次有效操作时保存的数据，确保数据不丢失。同时在产品测试阶段还可以通过读取存储区域的擦写次数，对擦写过于频繁的数据结构存储区域可以适当的增加存储空间，以减少擦写次数。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：