[发明专利]一种垂直结构发光二极管的制作方法有效
| 申请号： | 201510598924.0 | 申请日： | 2015-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN105206716B | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 尹灵峰;李明鹏;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 结构 发光二极管 制作方法 | ||
1.一种垂直结构发光二极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
在蓝宝石衬底上生长外延层，所述外延层包括在所述蓝宝石衬底上依次生长的Al1-xGaxN缓冲层、N型层、发光层、P型层、金属反光层，其中，0≤x≤1且x沿所述Al1-xGaxN缓冲层的生长方向逐渐增大；
将所述金属反光层与永久基板键合，所述永久基板采用导电材料；
采用激光技术在所述外延层上开设从所述蓝宝石衬底延伸到所述Al1-xGaxN缓冲层的划道；
采用KOH溶液从所述划道腐蚀所述外延层，将所述蓝宝石衬底从外延层上剥离，所述KOH溶液的温度为30-100℃，所述KOH溶液的摩尔浓度为1-30mol/L；
在所述Al1-xGaxN缓冲层上设置N电极；
采用劈裂技术将所述外延层和所述永久基板分割成多个发光二极管芯片，其中，所述永久基板为所述发光二极管芯片的P电极。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述划道的深度为10-200μm，各所述划道之间的距离为0.01-1mm。
3.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述金属反光层为NiAg、Ag、Al、NiAl、CrAl、Au或者Pt。
4.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述将所述金属反光层与永久基板键合，包括：
采用粘合胶将所述金属反光层与所述永久基板键合。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述粘合胶为硅胶或者环氧树脂。
6.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述将所述金属反光层与永久基板键合，包括：
在所述金属反光层上形成第一金属层；
在所述永久基板上形成第二金属层；
采用高温压合所述第一金属层和所述第二金属层。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述采用高温压合所述第一金属层和所述第二金属层，包括：
在200-400℃的温度下，压合所述第一金属层和所述第二金属层。
8.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述第一金属层为Au，所述第二金属层为AuSn；或者，所述第一金属层为AuSn，所述第二金属层为Au；或者，所述第一金属层和所述第二金属层均为AuSn；或者，所述第一金属层和所述第二金属层均为Au。
9.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述导电材料为Si、Cu、Au或者Pt。
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