[发明专利]一种双波长可调谐半导体激光器

权利要求书

1.一种双波长可调谐半导体激光器，其特征在于，该激光器包括有源区(1)、相位区(2)和光栅区(3)；从下往上依次附着有第一缓冲层(8)、有源层(4)和第一覆盖层(7)，所述第一缓冲层(8)、所述有源层(4)和所述第一覆盖层(7)构成了所述有源区(1)；从下往上依次附着有第二缓冲层(10)、波导层(5)和第二覆盖层(9)，所述第二缓冲层(10)、波导层(5)和第二覆盖层(9)构成了所述相位区(2)；从下往上依次附着有第三缓冲层(12)、光栅层(6)和第三覆盖层(11)，所述第三缓冲层(12)、光栅层(6)和第三覆盖层(11)构成了所述相位区(2)；在所述第一覆盖层(7)的上表面设有第一电极(15)，在第二覆盖层(9)的上表面设有第二电极(16)，在第三覆盖层(11)的上表面设有第三电极(17)；所述有源区(1)的左端面为解理面(13)，所述光栅区(3)的右端面镀有增透膜(14)。

2.如权利要求1所述的双波长可调谐半导体激光器，其特征在于，所述光栅层(6)包括刻蚀在第三覆盖层(11)下表面的第一布拉格光栅和刻蚀在第三缓冲层(12)上表面的第二布拉格光栅；所述第一布拉格光栅的周期与所述第二布拉格光栅的周期不同。

3.如权利要求1或2所述的双波长可调谐半导体激光器，其特征在于，所述光栅层(6)的有效折射率大于第三缓冲层(12)的折射率；所述光栅层(6)的有效折射率大于所述第三覆盖层(11)的折射率。

4.如权利要求1或2所述的双波长可调谐半导体激光器，其特征在于，所述有源层(4)的带隙小于所述波导层(5)，所述有源层(4)的带隙小于所述光栅层(6)的带隙。

5.如权利要求1-4任一项所述的双波长可调谐半导体激光器，其特征在于，工作时，通过在所述第一电极(15)中注入电流使得激光器开始工作；通过改变所述第三电极(17)的注入电流，使得光栅层的两个反射峰同时发生移动，实现对腔内纵模的选择，来对激光器的输出波长进行粗调节；通过改变所述第二电极(16)的注入电流，使得所述波导层(5)的折射率发生改变，整个激光器有效腔长发生改变，腔内的纵模位置发生移动，来对激光器的输出波长进行细调节。

6.如权利要求5所述的双波长可调谐半导体激光器，其特征在于，同一个时刻输出的两个波长之间的间距等于两个光栅的布拉格反射峰的间距。