[发明专利]一种耐高低温冲击的长波红外光学薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201510599653.0 | 申请日： | 2015-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN105274477A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 董茂进;王多书;熊玉卿;王田刚;王济洲;蔡宇宏;徐嶺茂;李凯朋 | 申请（专利权）人： | 无锡泓瑞航天科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/26 | 分类号： | C23C14/26;C23C14/16;C23C14/06;G02B1/115 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 李爱英;仇蕾安 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低温 冲击 长波 红外 光学薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种耐高低温冲击的长波红外光学薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、对锗基片分别采用分析纯的盐酸浸泡、去离子水冲洗、分析纯的丙酮超声清洗和分析纯的乙醇超声清洗；
步骤二、将清洗后的锗基片放入镀膜机中，然后对镀膜机抽真空至3.0～5.0×10-3Pa，在抽真空的同时开启加热系统，加热至150～180℃，当真空度和温度均达到要求时，使用镀膜机上的霍尔离子源轰击锗基片，活化锗基片的表面；
步骤三、采用电阻蒸发方法在活化后的锗基片表面镀制一层均匀锗薄膜，锗薄膜厚度为10～30nm；
步骤四、采用电阻蒸发方法在锗薄膜上表面镀制长波红外光学薄膜。
2.如权利要求1所述的一种耐高低温冲击的长波红外光学薄膜的制备方法，其特征在于，所述长波红外光学薄膜为由碲化铅和硫化锌组成的增透膜、干涉截止膜或多半波膜。
3.如权利要求1所述的一种耐高低温冲击的长波红外光学薄膜的制备方法，其特征在于，步骤一具体为：对锗基片先采用分析纯的盐酸浸泡10～20min，再用去离子水冲洗3～5遍；然后采用分析纯的丙酮超声清洗10～20min，采用分析纯的乙醇超声清洗10～20min。
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