[发明专利]具有内置二极管的IGBT器件背面工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种工艺方法，尤其是一种具有内置二极管的IGBT器件背面工艺，属于IGBT器件背面处理的技术领域。

背景技术

IGBT结合了功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect- Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）及功率晶体管的优点，具有工作频率高，控制电路简单，电流密度高，通态压低等特点，广泛应用于功率控制领域。在实际应用中，IGBT很少作为一个独立器件使用，尤其在感性负载的条件下，IGBT需要一个快恢复二极管续流。因此现有的IGBT 产品，一般采用反并联一个二极管以起到续流作用，保护 IGBT器件。

为降低成本，反并联的二极管可以集成在IGBT 芯片内，即集成反并联二极管的IGBT或具有内置二极管的IGBT。公开号为CN202796961U的文件公开了一种具有内置二极管的IGBT，具体结构可以参考公开文件中的附图4，其中，在IGBT器件的背面采用背面P型和N型交替平行分布的形式，以形成内置二极管；正面条形元胞与背面条形相垂直，形成背面与正面结构的自对准，通过背面P型和N型的比例分配，粗略的调整器件性能。目前，对于制备背面P型与N型时，只能用条形图案，并且图形的控制精度要求较为粗略，适用的器件方案较为有限，不具有普适性。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种具有内置二极管的IGBT器件背面工艺，其工艺步骤简单，能实现背面光刻工艺达到或接近正面光刻工艺的控制能力，背面加工精度高，对背面图形没有特定限制，有利于实现更多的背面图形方案，支持多样的器件背面图形优化设计。

按照本发明提供的技术方案，一种具有内置二极管的IGBT器件背面工艺，所述IGBT器件背面工艺包括如下步骤：

a、提供制备IGBT器件所需的晶圆，在所述晶圆的晶圆正面进行所需的正面工艺，以在晶圆的晶圆正面得到所需的正面元胞结构，所述正面元胞结构包括正面金属层以及金属层套刻对位标记；

b、对上述晶圆的晶圆背面进行减薄，以使得减薄后得到晶圆的厚度不大于300μm；

c、对上述晶圆的晶圆背面进行所需的初次背面离子注入，并在离子注入后的晶圆背面上涂覆光刻胶层；

d、提供用于对上述晶圆背面上涂覆的光刻胶层进行光刻的光刻机，所述光刻机包括上曝光台以及位于所述上曝光台下方的下曝光台，上曝光台上设有用于掩膜版对准的上基准标记，在下曝光台上设有用于晶圆对准的下基准标记；所述下基准标记与上基准标记在竖直方向上同轴分布，在下曝光台上还设有用于捕捉金属层套刻对位标记的背面感应器；

e、将上述晶圆的晶圆背面朝上并置于下曝光台与上曝光台间，旋转晶圆，以通过背面感应器捕捉晶圆上的notch区，以确定notch区坐标；

f、利用背面感应器捕捉晶圆的金属层套刻对位标记，以确定金属层套刻对位标记的中心坐标，并根据上述notch区坐标、金属层套刻对位标记的中心坐标以及下基准标记确定晶圆的位置；

g、利用上基准标记将掩膜版与上曝光台进行对准，在掩模版与上曝光台对准后，比对掩膜版上掩膜版套刻对位标记的中心坐标与金属层套刻对位标记的中心坐标，根据金属层套刻对位标记的中心坐标以及掩膜版上掩膜版套刻对位标记的中心坐标，对晶圆的位置进行校正，以使得晶圆与掩膜版的精准对位；

h、利用掩膜版对晶圆背面上的光刻胶层进行曝光显影，并在曝光显影后，对晶圆背面进行所需的二次背面离子注入，所述二次背面离子注入的离子导电类型与初次背面离子注入的离子导电类型相反；

i、去除上述晶圆背面的光刻胶层，并在退火后激活载流子，以得到所需分布于晶圆背面的二极管；

j、在上述晶圆背面设置所需的背面金属层。

所述晶圆的材料包括硅，金属层套刻对位标记的形状包括十字形、方形、圆形、三角形、菱形、五角形、六边形或八边形。

所述步骤b包括如下步骤：

b1、在得到正面元胞结构的晶圆正面贴蓝膜，并对所述晶圆的背面采用化学机械研磨方式的初次减薄；

b2、去除上述贴在晶圆正面的蓝膜，并在晶圆正面键合玻璃基片，并对晶圆的背面通过化学机械研磨方式进行二次减薄，以使得减薄后晶圆的总厚度不超过300μm。

所述玻璃基片的折射率为1.5~1.8，反射率为4%~81.6%。

所述步骤b包括如下步骤：

s1、在得到正面元胞结构的晶圆正面贴蓝膜，并在所述晶圆的晶圆背面设置背面减薄夹持装置；