[发明专利]一种多层yolk‑shell结构贵金属@SnO2复合材料的制备方法有效
申请号: | 201510601207.9 | 申请日: | 2015-09-21 |
公开(公告)号: | CN105289430B | 公开(公告)日: | 2018-04-10 |
发明(设计)人: | 范迎菊;郭慧男;孙中溪 | 申请(专利权)人: | 济南大学 |
主分类号: | B01J13/02 | 分类号: | B01J13/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 250022 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多层 yolk shell 结构 贵金属 sno sub 复合材料 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于纳米材料制备技术领域,具体涉及负载贵金属的金属氧化物多层yolk-shell 复合结构的制备方法。
背景技术
yolk-shell 结构也称蛋黄-蛋壳结构,是指空心壳层中包含有其它纳米粒子作为核,而且核是可以自由移动的一种新颖的复合结构。这种结构结合了yolk和shell两部分的性质,并具有比表面积大和快速的物质传输能力等优点,在药物传递、催化剂、传感器和能量存储等方面具有独特的应用前景。
SnO2是应用最广泛的半导体气敏材料之一,可以有效的应用于甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、一氧化碳、二氧化碳、乙醇、甲醛、乙烯、乙炔、氯乙烯、苯乙烯等多种气体的检测,但是单一的金属氧化物往往具有选择性差的缺点。由于贵金属具有良好的催化能力和电子俘获能力,使得贵金属掺杂成为显著提高半导体材料气敏选择性的有效途径。文献(Sensors and Actuators B: Chemical, 2013, 184, 33–39)报道了将SnO2粉体浸泡在H2PtCl6溶液中,然后高温煅烧,得到Pt掺杂SnO2复合材料,该材料在室温条件下显示出对CO良好的气敏选择性。但是此方法的不足之处是在高温煅烧过程中,Pt纳米颗粒由于具有高的表面能而容易发生团聚,很大程度上会影响气敏灵敏度。而如果将贵金属纳米颗粒包裹并固定在氧化物壳层内部,则可以有效防止煅烧过程中的团聚现象。
前人对yolk-shell结构纳米贵金属@SnO2进行了为数不多的研究,其制备过程中普遍存在浓度低、过程复杂、分散性不好或是在有机环境中合成导致环境友好性差等缺陷,而且未见对yolk-shell结构纳米贵金属@SnO2核层壳层厚度任意调控的报道。
发明内容
针对现有技术的缺陷,本发明提供一种模板法,制备壳层厚度及核尺寸可调的贵金属@SnO2yolk-shell 复合材料的方法,有效克服了现有技术中掺杂的贵金属颗粒聚集长大的缺陷。
本发明的技术方案如下: 一种yolk-shell 结构贵金属@SnO2复合材料的制备方法包括如下步骤:
A、以葡萄糖为原料,配制成浓度为0.1-0.3 g·mL-1的水溶液,然后加入0.01-0.05 mmol的贵金属盐,将溶液转入反应釜中,160-200 ℃反应2-8 h,过滤、洗涤、干燥后得贵金属@C球,将贵金属@C球分散在25 mL N, N 二甲基甲酰胺 (DMF) 溶剂中,形成悬浮液。
B、将0.5-2 mol·L-1氯化亚锡的 DMF溶液加入步骤A的悬浮液中,超声30 min,再逐滴加入2 mL去离子水,常温浸泡24 h后,离心,洗涤,干燥,得到粉末材料。
C、将步骤B得到的粉末材料物置于马弗炉中,以3 ℃·min-1的速率升温到500 ℃,保温1-3 h,即可得到yolk-shell 结构贵金属@SnO2复合材料。
本发明所述的yolk-shell 结构贵金属@SnO2复合材料的制备方法中,所述贵金属盐为硝酸银,氯金酸,氯铂酸和氯化钯。
本发明所述的制备方法,利用聚碳的还原性,在制备碳球模板的同时将贵金属盐还原为贵金属单质,一步得到贵金属@C核壳结构,简化了反应步骤。
本发明所述的制备方法,所制备的贵金属@SnO2 yolk-shell 结构的壳层厚度可通过调节锡离子浓度调节,核的尺寸可通过调节贵金属盐浓度而调节。
本发明所述的制备方法,氯化亚锡溶解在DMF中,有效防止了氯化亚锡的水解。
与现有技术相比,本发明制备yolk-shell 结构贵金属@SnO2复合材料的方法,反应简单易控,所制备的yolk-shell 结构贵金属@SnO2复合材料,壳层厚度及核尺寸可调。该方法设计合理,工艺简单,形貌可控,尺寸分布均匀。
附图说明
图1 是yolk-shell结构Ag@SnO2的X-射线衍射图谱。
图2 是不同放大倍数下Ag@C的透射电子显微镜照片(TEM)。
图3 是yolk-shell结构Ag@SnO2的TEM照片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于济南大学,未经济南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510601207.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。