[发明专利]一种ZnO/PVK‑TFB杂化LED及其制备方法

权利要求书

1.一种ZnO/PVK-TFB杂化LED，该IED为pn结结构的LED器件，ZnO作为p区材料，PVK-TFB作为n区材料，其特征在于，所述的p区材料还包括掺有N的石墨烯材料。

2.如权利要求1所述的ZnO/PVK-TFB杂化LED，其特征在于，按原子质量百分比计，所述的掺有N的石墨烯材料中N的浓度为3％。

3.如权利要求1所述的ZnO/PVK-TFB杂化LED，其特征在于，所述的p区材料包括由上到下设置的氧化锌矩阵层和功能层，所述的氧化锌矩阵层包括氧化锌矩阵和填充在氧化锌矩阵中掺有N的石墨烯材料，功能层由上到下包括氧化锌材料层和掺有N的石墨烯材料层。

4.如权利要求1所述的ZnO/PVK-TFB杂化LED，其特征在于，所述的氧化锌矩阵层的厚度为0.5～1μm，氧化锌材料层的厚度为100～300nm，掺有N的石墨烯材料层厚度为100～300nm。

5.制备权利要求1、2、3或4所述的ZnO/PVK-TFB杂化LED的方法，其特征在于，包括将掺有N的石墨烯材料旋涂到ITO玻璃上得到掺有N的石墨烯材料层，在掺有N的石墨烯材料层上生长氧化锌材料层，再在氧化锌材料层上利用水热法生长ZnO纳米阵列，将掺有N的石墨烯材料旋涂到ZnO纳米阵列的缝隙中；

将PVK-TFB混合液旋涂到ZnO纳米阵列顶端得到PVK-TFB层；再将PEDOT:PSS液旋涂到PVK-TFB层上得到PEDOT:PSS层。

6.如权利要求5所述的制备ZnO/PVK-TFB杂化LED的方法，其特征在于，所述的PVK-TFB层的厚度为200～500nm，PEDOT:PSS层的厚度为100～300nm。

7.如权利要求5所述的制备ZnO/PVK-TFB杂化LED的方法，其特征在于，所述的制备掺有N的石墨烯材料的方法包括在质量分数为98％的浓硫酸中加入50g/L石墨粉末和20g/L高锰酸钾得到混合溶液，将混合溶液依次在10℃、30℃和90℃下各搅拌1小时后加入与混合溶液等体积的质量分数为30％的双氧水，静置5天后取出沉淀物氧化石墨，在氧化石墨中加入与氧化石墨等质量的三聚氰胺混合，超声处理2小时离心过滤后烘干得到固体物，将固体物在1000摄氏度氮气保护下热处理1小时，即得掺杂N的石墨烯粉末。