[发明专利]用于集成电路的工艺变化分析的方法

说明书

本发明提供用于集成电路的工艺变化分析的方法及对应的系统。根据器件参数和工艺参数，生成描述集成电路的电子器件的网表。工艺参数包括电子器件单独的局部工艺参数和电子器件共用的全局工艺参数。识别关键电子器件，该关键电子器件包括对集成电路的设计规范的性能参数具有最大贡献的器件参数。确定用于关键电子器件的全局工艺参数和局部工艺参数的敏感度值。敏感度值代表一个或多个性能参数对关键电子器件的全局和局部工艺参数的变化有多敏感。基于敏感度值对Monte Carlo(MC)样本进行分类。

相关申请的交叉参考

本申请是2014年9月22日提交的第14/492,866号美国申请的继续申请，该先前申请(即，第14/492,866号美国申请)要求如下权益：1)2014年2月28日提交的第61/946,348号美国临时申请；2)2013年9月23日提交的第61/881,091号美国临时申请。美国申请的所有主题结合于此作为参考。

技术领域

本发明一般地涉及半导体技术领域，更具体地，涉及集成电路的分析方法。

背景技术

通常将集成电路设计为满足或符合(exceed)某些设计规范。例如，可以将集成电路设计为集成电路的输入至输出之间具有介于10与15之间的电压增益。然而，在集成电路的批量制造期间，IC制造工艺中的不可预测的变化会导致低产量(即，较高比例的芯片不满足或不符合设计规范)。因此，在集成电路的批量制造之前，可以使用计算机模拟来预测产量。如果预测产量较低，则可以改善制造工艺和/或集成电路设计。随着部件尺寸变得更小并且工艺变化变得更加明显，所期望的这种模拟变得日益重要。

发明内容

为了解决现有技术中所存在的缺陷，根据本发明的一方面，提供了一种用于集成电路的工艺变化分析的方法，所述方法包括：生成网表，所述网表通过器件参数和工艺参数描述集成电路的电子器件，其中，所述工艺参数包括所述电子器件单独的局部工艺参数和所述电子器件共用的全局工艺参数；识别关键电子器件，所述关键电子器件包括对所述集成电路的设计规范的性能参数具有最大贡献的器件参数；确定用于所述关键电子器件的全局工艺参数和局部工艺参数的敏感度值，其中，所述敏感度值代表一个或多个性能参数对于所述关键电子器件的全局工艺参数和局部工艺参数的变化有多敏感；以及基于所述敏感度值对Monte Carlo(MC)样本进行分类。

该方法还包括：对分类的MC样本执行MC模拟。

在该方法中，基于所述电子器件的单独的器件参数来识别所述关键电子器件。

在该方法中，将所述MC模拟配置为使用的MC样本的百分数小于100％。

该方法还包括：接收描述所述电子器件的初始网表；以及将所述初始网表重建为所述网表，其中，重建包括修正所述初始网表以包括所述器件参数和所述工艺参数。

在该方法中，所述初始网表包括子电路定义和所述子电路定义的多个示例，并且重建还包括：除了所述子电路定义的第一示例，对于所述子电路定义的每一个示例都复制所述子电路定义，以生成复制的子电路定义；以及除了所述第一示例，修正所述子电路定义的多个示例，以示例化所述复制的子电路定义。

该方法还包括：从数据库取回所述器件参数和所述工艺参数。

在该方法中，确定敏感度值包括：使用所述电子器件的工艺模型来模拟所述网表，以确定所述一个或多个性能参数的基准值，其中，所述工艺模型基于所述工艺参数对所述电子器件建模；在所述网表中以一次一个的方式设置所述关键电子器件的全局工艺参数和局部工艺参数，以形成与所述关键电子器件的全局工艺参数和局部工艺参数相对应的新的网表；使用所述工艺模型来模拟所述新的网表，以确定用于所述关键电子器件的全局工艺参数和局部工艺参数的一个或多个性能参数的参数值；确定所述基准值与对应的参数值之间的差值；以及根据工艺参数对所述差值进行分组并求和，以确定用于所述关键电子器件的全局工艺参数和局部工艺参数的敏感度值。