[发明专利]一种带角度注入的自对准MOS沟道的制备方法在审
| 申请号： | 201510604076.X | 申请日： | 2015-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN105226083A | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 黄润华;陶永洪;柏松;陈刚 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L21/266 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 角度 注入 对准 mos 沟道 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种带角度注入的自对准MOS沟道的制备方法，其特征在于：包括如下的步骤：
S1：在第一导电类型衬底(1)上生长第一导电类型层(2)；
S2：在第一导电类型层(2)上形成带有角度的注入掩膜(10)，注入掩膜(10)的角度(8)为0°～90°；
S3：通过带有角度的离子注入形成第二导电类型掺杂区(3)，离子注入与晶圆表面的垂直方向的夹角(9)为0°～90°；
S4：通过垂直于晶圆表面的离子注入在第二导电类型掺杂区(3)内形成第一导电类型掺杂区(4)，第二导电类型掺杂区(3)超出第一导电类型掺杂区(4)的区域为沟道区(13)；
S5：去除注入掩膜(10)，在晶圆表面生长栅介质层(5)；
S6：去除部分栅介质层(5)，形成源极(7)、栅极(6)和漏极(11)。
2.根据权利要求1所述的带角度注入的自对准MOS沟道的制备方法，其特征在于：所述第一导电类型为n型，第二导电类型为p型；或者第一导电类型为p型，第二导电类型为n型。
3.根据权利要求1所述的带角度注入的自对准MOS沟道的制备方法，其特征在于：所述注入掩膜(10)的材料为氧化硅、氮化硅等离子注入掩膜介质。
4.根据权利要求1所述的带角度注入的自对准MOS沟道的制备方法，其特征在于：所述注入掩膜(10)在形成过程中保留部分介质层(12)。
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