[发明专利]一种差分放大电路有效
申请号: | 201510604352.2 | 申请日: | 2015-09-21 |
公开(公告)号: | CN105207629B | 公开(公告)日: | 2018-07-27 |
发明(设计)人: | 戴若凡 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H03F1/32 | 分类号: | H03F1/32;H03F1/34;H03F3/45 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 吴敏 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 种差 放大 电路 | ||
1.一种差分放大电路,适于输入第一差分信号,输出第二差分信号,其特征在于,包括:
第一晶体管和第二晶体管,所述第一差分信号耦合输入至所述第一晶体管的第一端和所述第二晶体管的第一端之间,所述第一晶体管的第二端和所述第二晶体管的第二端耦合输出所述第二差分信号;所述第一晶体管是第一场效应管,所述第二晶体管是第二场效应管;所述第一场效应管和所述第二场效应管的栅极分别对应所述第一晶体管和所述第二晶体管的控制端;所述第一场效应管和所述第二场效应管的源极分别对应所述第一晶体管和所述第二晶体管的第一端;所述第一场效应管和所述第二场效应管的漏极分别对应所述第一晶体管和所述第二晶体管的第二端;
第一负载,一端连接所述第一晶体管的第二端,另一端连接电源;
第二负载,一端连接所述第二晶体管的第二端,另一端连接电源;
反馈阻抗,第三端接地,第一端与第二端分别连接所述第一晶体管和第二晶体的第一端;
第一交叉耦合单元,适于为所述差分放大电路引入负反馈,第一端连接所述第一晶体管的控制端,第二端连接第二晶体管的第一端,第三端连接第二晶体管的控制端,第四端连接第一晶体管的第一端;
第二交叉耦合单元,适于为所述差分放大电路引入负反馈,第一端连接所述第一晶体管的第二端,第二端连接第二晶体管的第一端,第三端连接第二晶体管的第二端,第四端连接第一晶体管的第一端;
所述第二交叉耦合单元包括:第一交叉路径、第二交叉路径、第三交叉路径和第四交叉路径;
所述第一交叉路径的第一端连接所述第一晶体管的第二端,第二端连接所述第二晶体管的第一端;所述第二交叉路径的第一端连接所述第二晶体管的第二端,第二端连接所述第一晶体管的第一端;
所述第三交叉路径与所述第一交叉路径并联,所述第四交叉路径与所述第二交叉路径并联。
2.如权利要求1所述的差分放大电路,其特征在于,所述第一交叉耦合单元包括第一电容和第二电容;所述第一电容的第一端和第二端分别对应所述第一交叉耦合单元的第一端和第二端;所述第二电容的第一端和第二端分别对应第一交叉耦合单元的第三端和第四端。
3.如权利要求1所述的差分放大电路,其特征在于,所述第一交叉路径包括第三电容,所述第三电容的第一端和第二端分别对应所述第一交叉路径的第一端和第二端。
4.如权利要求1所述的差分放大电路,其特征在于,所述第二交叉路径包括第四电容,所述第四电容的第一端和第二端分别对应所述第二交叉路径的第一端和第二端。
5.如权利要求1所述的差分放大电路,其特征在于,所述第三交叉路径包括第一电阻和第五电容;所述第一电阻的第二端与所述第五电容的第一端连接,所述第一电阻的第一端对应所述第三交叉路径的第一端,所述第五电容的第二端对应所述第三交叉路径的第二端。
6.如权利要求1所述的差分放大电路,其特征在于,所述第四交叉路径包括第二电阻和第六电容;所述第二电阻的第二端与所述第六电容的第一端连接,所述第二电阻的第一端对应所述第四交叉路径的第一端,所述第六电容的第二端对应所述第四交叉路径的第二端。
7.如权利要求1所述的差分放大电路,其特征在于,所述反馈阻抗是三端电感。
8.如权利要求1所述的差分放大电路,其特征在于,还包括阻抗变换单元,适于将所述第二差分信号进行阻抗匹配输出第三差分信号。
9.如权利要求8所述的差分放大电路,其特征在于,所述阻抗变换单元包括第三晶体管和第四晶体管;所述第三晶体管的控制端连接所述第一晶体管的第二端,所述第四晶体管的控制端连接所述第二晶体管的第二端;所述第三晶体管和所述第四晶体管的第二端连接电源;所述第三晶体管第一端和所述第四晶体管第二端作为所述阻抗变换单元的输出端。
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