[发明专利]一种三维立体高密度薄膜积层电容及其制备方法

权利要求书

1.一种三维立体高密度薄膜积层电容，其特征在于：包括一基片、绝缘薄膜、多层电容功能层薄膜、绝缘层、绝缘钝化层、金属连接层、电极板；

所述的基片的上表面刻蚀有锥形坑，纵向延伸扩大所述基片的表面，所述锥形坑的上表面沉积有所述绝缘薄膜；在所述的绝缘薄膜的上方沉积有所述多层电容功能层薄膜，所述的多层电容功能层薄膜由多层的导电板薄膜和介电层薄膜由下而上依次叠加构成；在所述的多层电容功能薄膜的上方沉积有所述的绝缘层，所述绝缘钝化层沉积在通过化学研磨工艺使绝缘层表面平坦化后暴露出的多层电容功能层薄膜上；

所述金属连接层沉积在所述绝缘钝化层在光刻刻蚀后开孔露出的导电板薄膜上，所述电极板与所述的导电板薄膜相连；所述电极板交错连接所述金属连接层，所述电极板用后道球焊接或直接贴片封装。

2.根据权利要求1所述的一种三维立体高密度薄膜积层电容，其特征在于，所述的介电层薄膜沉积在所述的导电板薄膜间隙，相邻的导电板薄膜和中间的介电层薄膜构成电容器。

3.根据权利要求1所述的一种三维立体高密度薄膜积层电容，其特征在于，所述的基片材料为半导体材料。

4.根据权利要求3所述的一种三维立体高密度薄膜积层电容，其特征在于，所述的基片材料为硅。

5.根据权利要求1所述的一种三维立体高密度薄膜积层电容，其特征在于，所述的基片材料为玻璃或陶瓷。

6.根据权利要求1所述的一种三维立体高密度薄膜积层电容，其特征在于，随着所述的锥形坑的深度D增大，所述导电板薄膜的表面积增大。

7.根据权利要求1所述的一种三维立体高密度薄膜积层电容，其特征在于，所述锥形坑的斜坡与锥底水平表面夹角为θ，随着θ的减小，所述导电板薄膜在水平方向上的暴露尺寸L增大。

8.一种如权利要求1-7任一项所述的三维立体高密度薄膜积层电容的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1. 对所述的基片进行表面清洁；

S2. 将所述的基片通过湿法或干法刻蚀工艺形成锥形坑；

S3. 在刻蚀好的基片上依次沉积所述的绝缘薄膜、多层电容功能层薄膜；

S4. 在所述的多层电容功能层薄膜上方沉积一层绝缘层，然后进行化学研磨使表面平坦化并暴露出多层电容功能层薄膜；

S5. 在暴露出的多层电容功能层薄膜上方沉积一层绝缘钝化层，光刻刻蚀开孔露出下方导电板薄膜后沉积金属连接层；

S6. 在所述的金属连接层处生长电极。

9.根据权利要求8所述的三维立体高密度薄膜积层电容的制备方法，其特征在于，所述步骤S3还包括：将导电板薄膜和介电层薄膜从下而上依次叠加构成多层电容功能层薄膜，所述的介电层薄膜沉积在所述的导电板薄膜间隙，相邻的导电板薄膜和中间的介电层薄膜构成电容器。

10.根据权利要求8所述的三维立体高密度薄膜积层电容的制备方法，其特征在于，所述的锥形坑的深度为D，所述锥形坑的斜坡与锥底水平表面夹角为θ，所述D与θ由刻蚀工艺进行调节。

11.根据权利要求8所述的三维立体高密度薄膜积层电容的制备方法，其特征在于，所述的锥形坑的开孔大小由光刻工艺决定。