[发明专利]加工多晶硅表面的方法以及加工基板表面的方法有效
| 申请号： | 201510604497.2 | 申请日： | 2015-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN105161413B | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 陆小勇;龙春平;刘建宏;詹裕程;李小龙;刘政 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/48 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 胡良均 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶硅表面 化学机械抛光 工艺加工 加工基板 加工 粗糙度 沉积 | ||
1.一种加工多晶硅表面以改善所述多晶硅表面的粗糙度的方法，包括：
在多晶硅表面上沉积材料薄膜；
使用化学机械抛光工艺加工沉积了材料薄膜的多晶硅表面；
其中，所述材料薄膜选择为使得在抛光过程中多晶硅优先被去除，
其中所述材料薄膜为SiNx薄膜，并且在多晶硅表面上沉积的SiNx薄膜厚度为80～120埃；或所述材料薄膜为SiOx薄膜，并且在多晶硅表面上沉积的SiOx薄膜厚度为90～120埃。
2.根据权利要求1所述的方法，其中使用化学机械抛光工艺加工沉积了材料薄膜的多晶硅表面的过程包括去除材料薄膜的第一阶段和同时去除材料薄膜和多晶硅的第二阶段，其中在第二阶段，多晶硅优先被去除。
3.根据权利要求1所述的方法，其中使用采用碱性二氧化硅抛光液的化学机械抛光的工艺加工沉积有材料薄膜的多晶硅表面。
4.根据权利要求1所述的方法，其中在多晶硅表面上沉积的SiNx薄膜厚度为100埃。
5.根据权利要求1所述的方法，其中在使用化学机械抛光的工艺加工多晶硅表面之后使用蚀刻溶液湿法刻蚀多晶硅表面。
6.根据权利要求5所述的方法，在使用蚀刻溶液湿法刻蚀多晶硅表面的同时，使用超声波震荡，所述超声波频率在50kHz至120kHz范围内。
7.根据权利要求1所述的方法，使用等离子体增强化学气相沉积的方法沉积SiNx薄膜。
8.根据权利要求1所述的方法，使用氧化法形成SiOx薄膜或等离子体增强化学气相沉积的方法沉积SiOx薄膜。
9.根据权利要求1所述的方法，包括在沉积材料薄膜之前清洗多晶硅表面的预处理步骤。
10.一种加工基板表面的方法，基板包括多晶硅区域和非多晶硅区域，所述方法包括：
在基板表面形成掩膜覆盖非多晶硅区域；
使用如前述权利要求中任一项的方法加工多晶硅区域。
11.根据权利要求10所述的加工基板表面的方法，还包括去除基板表面上形成的掩膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510604497.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：紫外线诱变育种箱
- 下一篇：一种图书ATM机中图书抓取机械手的定位系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
