[发明专利]双栅极沟槽式功率晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201510607082.0 | 申请日： | 2015-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN106549056B | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 李柏贤;林家福;陈家承;林伟捷 | 申请（专利权）人： | 大中积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李静;马强 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极 沟槽 功率 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
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