[发明专利]一种硅基混合集成单轴光纤陀螺光学芯片及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510607445.0 申请日: 2015-09-22
公开(公告)号: CN105180917B 公开(公告)日: 2017-12-29
发明(设计)人: 佘玄;李贝;段启航;李珂;刘承;舒晓武 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: G01C19/72 分类号: G01C19/72;G01C21/18
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司33200 代理人: 韩介梅
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 混合 集成 光纤 陀螺 光学 芯片 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种硅基混合集成单轴光纤陀螺光学芯片,其特征在于,包括:芯片硅基底(3)及位于其上的光源(1)、定向耦合器(2)、Y波导调制器(7)、信号探测器(5)以及功率探测器(11);

Y波导调制器(7)为铌酸锂基质子交换型波导,波导线宽为4~6.5μm,通过BCB胶层(6)粘合在芯片硅基底(3)上;

定向耦合器(2)包括硅衬底(4)及位于硅衬底上的SiO(2)包层(12),在SiO(2)包层(12)内掩埋有SiO2:Ge芯层,SiO2:Ge芯层包括两个90°圆弧波导(14、19)、两个半圆弧波导(15、20)、耦合区波导(16)和两个直波导(18、22);

耦合区波导(16)由波导Ⅰ和波导Ⅱ耦合而成,波导Ⅰ的一个端口a连接第一半圆弧波导(15)的一端,第一半圆弧波导(15)的另一端连接第一90°圆弧波导(14)的一端,第一90°圆弧波导(14)的另一端作为光学芯片的光输入端口(13),所述的光源(1)正对光输入端口(13),波导Ⅰ的另一个端口c连接第二直波导(22)的一端,第二直波导(22)的另一端作为功率探测端口(21),功率探测器(11)的光敏面正对功率探测端口(21);波导Ⅱ的一个端口b连接第一直波导(18)的一端,第一直波导(18)的另一端作为光学芯片的信号探测端口(17),信号探测器(5)的光敏面正对信号探测端口(17),波导Ⅱ的另一个端口d连接第二半圆弧波导(20)的一端,第二半圆弧波导(20)的另一端连接第二90°圆弧波导(19)的一端,第二90°圆弧波导(19)的另一端作为耦合端口(10),连接Y波导调制器(7)的基波导,实现定向耦合器(2)与Y波导调制器(7)的耦合;Y波导调制器(7)的两个分支端分别为第一尾纤耦合端口(23)和第二尾纤耦合端口(24),每个分支的两侧均设有金属调制电极(9)。

2.根据权利要求1所述的硅基混合集成单轴光纤陀螺光学芯片,其特征在于,所述的定向耦合器(2)为平行四边形,内角α为75±0.3°,长度为20.5~32.5mm,宽度为16~20mm,其中硅衬底(4)的厚度h2为0.52~1mm,SiO2包层(12)的厚度h1为20~30μm;SiO2:Ge芯层的横截面为矩形,其长为4~8μm,宽为4~6.5μm;所述的Y波导调制器(7)下方的BCB胶层(6)的厚度h4为10~20μm,Y波导调制器(7)的波导厚度h3为0.5~1mm,Y波导调制器(7)为平行四边形,内角β为80±0.5°,长为2cm,宽为3.5~3.7mm。

3.根据权利要求1所述的硅基混合集成单轴光纤陀螺光学芯片,其特征在于,所述的芯片硅基底(3)为平行四边形,长度为41~53mm,宽度为24~28mm,厚度h6为0.52~0.67mm。

4.根据权利要求1所述的硅基混合集成单轴光纤陀螺光学芯片,其特征在于,所述的两个90°圆弧波导(14、19)和两个半圆弧波导(15、20)的曲率半径相同,为3~5mm。

5.根据权利要求1所述的硅基混合集成单轴光纤陀螺光学芯片,其特征在于,所述的耦合区波导(16)的耦合长度h为5~10mm,耦合间距s为3.5~5μm,端口a与端口b间距w为1.5~2.5mm。

6.如权利要求1-5任一项所述的硅基混合集成单轴光纤陀螺光学芯片的制备方法,其特征在于,步骤如下:

1)按照芯片的图形设计,切割出光学芯片的芯片硅基底(3)和定向耦合器(2)中的硅衬底(4);

2)采用PECVD在硅衬底(4)上沉积第一层SiO2薄膜,作为缓冲层;在该层SiO2薄膜上生长掺锗SiO2薄膜,其厚度为耦合器波导芯层的厚度;经光刻、刻蚀工艺在SiO2:Ge薄膜上形成SiO2:Ge芯层波导图形;再在上面覆盖一层SiO2薄膜,将SiO2:Ge芯层波导完全覆盖,再进行退火,得到定向耦合器(2);

3)按照Y波导调制器(7)的图形设计,采用光刻、质子交换及退火工艺,在铌酸锂基底上制作出Y分支波导;再采用光刻工艺在Y分支波导(7)的每个分支两侧制作金属调制电极(9);

4)对定向耦合器(2)的四个边缘以及Y波导调制器(7)的光输入边缘与尾纤耦合边缘进行抛光打磨;对Y波导调制器(7)的另外两个边缘进行消光打磨;

5)采用Tresky贴片机将定向耦合器(2)的硅衬底底面直接粘合在芯片硅基底(3)上,将Y波导调制器(7)通过BCB胶层(6)粘合在芯片硅基底(3)上,通过调节旋涂BCB胶层的厚度来调整Y波导调制器(7)相对于定向耦合器(2)的SiO2:Ge芯层波导的高度,使两者精确耦合;

6)将光源(1)粘合到芯片硅基底(3)上,使其正对光输入端口(13);将信号探测器(5)粘合到硅基底(3)上,使信号探测器(5)的光敏面正对信号探测端口(17);将功率探测器(11)粘合到硅基底(3)上,使功率探测器(11)的光敏面正对信号探测端口(21),制得硅基混合集成单轴光纤陀螺光学芯片。

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